東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊
加入技術(shù)交流群
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC™標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/197985.htm市場對能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的大容量NAND閃存芯片的需求不斷增長。這種需求在包含控制器功能的嵌入式存儲器領(lǐng)域尤為明顯，這種嵌入式存儲器可以使開發(fā)要求降至最低，并使系統(tǒng)整合設(shè)計更加便利。東芝正通過強化其大容量存儲器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。
東芝公司的新型32GB e·MMC在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDECC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)，并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)了高讀寫性能。
東芝將在容量為4GB至128GB的e·MMC中使用這些NAND芯片。所有e·MMC都將整合一個控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。
新產(chǎn)品系列
|
產(chǎn)品名稱 |
容量 | 封裝 | 量產(chǎn) |
|---|---|---|---|
|
THGBMBG8D4KBAIR |
32GB |
FBGA153 |
2013年11月底 |
|
THGBMBG7D2KBAIL |
16GB |
FBGA153 |
2013年11月底 |
在16GB和32GB產(chǎn)品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產(chǎn)品。
主要功能
♦ 符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的接口可以處理基本功能，包括壞塊管理、ECC和驅(qū)動軟件。它可簡化系統(tǒng)開發(fā)，最小化制造商的開發(fā)成本，并加快新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品的上市速度。
♦ 128GB e·MMC產(chǎn)品能夠以128Kbps比特率記錄長達(dá)2,222小時的音樂、16.6小時的全高清視頻和38.4小時的標(biāo)清視頻。
♦ 新產(chǎn)品采用使用19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造的NAND閃存芯片。
♦ 新產(chǎn)品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e·MMC™ 5.0版標(biāo)準(zhǔn)的信號(引腳)布局。
主要規(guī)格
| 產(chǎn)品名稱 | THGBMBG8D4KBAIR | THGBMBG7D2KBAIL |
|---|---|---|
| 接口 | JEDEC e·MMC™5.0版標(biāo)準(zhǔn)的HS-MMC接口 | |
| 容量 | 32GB | 16GB |
| 電源電壓 | 2.7～3.6V（VCC，存儲器核心） 1.7V～1.95V/2.7V～3.6V（VCCQ，接口） |
|
| 總線寬度 | x1 / x4 / x8 | |
| 寫入速度 | 90MB/s （順序/HS400模式） | 50MB/s （順序/HS400模式） |
| 讀取速度 | 270MB/s （順序/HS400模式） | 270MB/s （順序/HS400模式） |
| 溫度范圍 | -25degrees至+85℃ | |
| 封裝 | 153Ball FBGA 11.5 x 13 x 1.0mm |
153Ball FBGA 11.5 x 13 x 0.8mm |
逆變器相關(guān)文章:逆變器原理
可控硅相關(guān)文章:可控硅工作原理
pwm相關(guān)文章:pwm是什么
逆變器相關(guān)文章:逆變器工作原理
比較器相關(guān)文章:比較器工作原理
存儲器相關(guān)文章:存儲器原理
評論