11月28日，寧波時(shí)代全芯科技有限公司在寧波現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國(guó)三星、美國(guó)美光之后，世界上第三家、中國(guó)第一家擁有相變存儲(chǔ)技術(shù)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國(guó)外公司壟斷的局面。

　　目前靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)和快閃存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲(chǔ)，存儲(chǔ)容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤(pán)。與現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片相比，相變存儲(chǔ)器執(zhí)行速度快1000倍，耐久性多1萬(wàn)倍。與快閃存儲(chǔ)一樣，相變存儲(chǔ)是非揮發(fā)性的，但比快閃存儲(chǔ)更耐用，通?？扉W存儲(chǔ)持續(xù)約為10萬(wàn)次讀/寫(xiě)，而相變存儲(chǔ)的耐用性數(shù)千至百萬(wàn)倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)，因此，這一新技術(shù)被認(rèn)為會(huì)帶來(lái)一個(gè)顛覆性的存儲(chǔ)新時(shí)代。

　　實(shí)際上，相變存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)歷史已經(jīng)有30多年，但是直到最近幾年，由于快速結(jié)晶材料的發(fā)現(xiàn)才開(kāi)始邁入商業(yè)化階段。第一批商業(yè)化的相變存儲(chǔ)產(chǎn)品預(yù)計(jì)在今年內(nèi)推出，而其主流產(chǎn)品，如替代傳統(tǒng)硬盤(pán)的固態(tài)硬盤(pán)將于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等國(guó)外廠商擁有商品化的相變存儲(chǔ)產(chǎn)品，而寧波時(shí)代全芯公司自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片讓我國(guó)首次闖入了以前由外國(guó)廠商壟斷的相變存儲(chǔ)市場(chǎng)。

　　據(jù)了解，寧波時(shí)代全芯公司相變存儲(chǔ)技術(shù)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已申請(qǐng)專(zhuān)利57項(xiàng)，正在申請(qǐng)的專(zhuān)利有141項(xiàng)。其研發(fā)團(tuán)隊(duì)由美國(guó)國(guó)家工程院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士馬佐平等專(zhuān)家組成。