據(jù)外媒EETasia報道，統(tǒng)計機構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達到40%，目前該種LED市場占有率僅為1%

　　據(jù)HIS的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復(fù)合年滲透增長率將會達到69%，屆時40%的氮化鎵LED將會以此工藝制造。今年95%的氮化鎵LED由藍寶石晶片制造，僅1%采用硅晶。硅基氮化鎵在2013-2020年間的增長將會攫取藍寶石及碳化硅晶片的市場份額。

　　“用藍寶石制造大塊的多晶硅塊比較困難，而采用硅基工藝可以制造從8英寸到12英寸不等的硅晶片，且通常造價更便宜種類更豐富。”HIS照明與LED領(lǐng)域高級分析師DkinsCho稱。“目前有發(fā)達的硅基工業(yè)作為前導(dǎo)，基于硅的生產(chǎn)可以制造規(guī)模效益，降低LED成本。”

　　生產(chǎn)設(shè)施再利用以適應(yīng)向硅基氮化鎵LED的轉(zhuǎn)變往往因投資較小而被接受。從前制造CMOS半導(dǎo)體已經(jīng)擁有傳統(tǒng)8英寸工藝，可以稍加改造從CMOS制造轉(zhuǎn)變?yōu)長ED。這些公司有內(nèi)部的專業(yè)知識以及基于硅的生產(chǎn)技術(shù)。

　　“與傳統(tǒng)LED廠商不同，許多CMOS半導(dǎo)體制造商都有良好的檢測工藝，”DkinsCho說。“這將有助于提高現(xiàn)場檢測良品率。但是改造不可能在一夜之間完成，我們認為轉(zhuǎn)變將在未來幾年內(nèi)發(fā)生。”