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          一種人工耳蝸系統(tǒng)專用植入刺激芯片設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-12-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/199639.htm
          是幫助傳感性耳聾患者恢復(fù)聽覺的一種電子裝置,它把外部的聲音轉(zhuǎn)換為聽神經(jīng)需要的電刺激,將這種刺激通過(guò)植入電極刺激聽覺神經(jīng),人工制造出聽覺。
          主要由四部分構(gòu)成: (1)語(yǔ)音處理器,按照一定的算法將聲音轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào);(2)傳輸,用來(lái)將電信號(hào)和體內(nèi)電路所需的能量從體外傳送到體內(nèi);(3)植入刺激電路,用來(lái)處理體外傳入的電信號(hào)并產(chǎn)生刺激聽神經(jīng)的電脈沖;(4)電極(組),用來(lái)直接刺激聽覺神經(jīng)。其中植入刺激電路、接收天線和電極組通過(guò)外科手術(shù)植入耳內(nèi)。
          植入刺激電路是的核心部件,早在1800 年,Alessandro Volta 在實(shí)驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)將通電的電極插入雙耳時(shí)“使頭內(nèi)產(chǎn)生轟響聲”,隨后會(huì)聽到“一種如同粘液沸騰的聲音”。此后人類便開始了對(duì)電刺激恢復(fù)聽覺的研究[1];到1960 年FBSimmons等人[2]使用了一種單通道刺激,在耳蝸內(nèi)插入一根電極,用電脈沖直接刺激聽神經(jīng),使患者可以產(chǎn)生音調(diào)感覺;此后,受到電極陣列技術(shù)條件和無(wú)法實(shí)現(xiàn)小面積低功耗的植入刺激電路的限制[3],人工耳蝸的發(fā)展很慢;20 世紀(jì)80 年代,電極技術(shù)有了較大突破,可以在一根載體中放入4 根或者更多的獨(dú)立電極[4],同時(shí)集成電路的制造和設(shè)計(jì)技術(shù)也有了很大的進(jìn)步,植入芯片由分立元件實(shí)現(xiàn)發(fā)展到專用集成電路實(shí)現(xiàn),功耗和面積都得到了很大程度的降低,越來(lái)越多的人工耳蝸開始出現(xiàn)。目前三家商用的人工耳蝸系統(tǒng)[5]的植入刺激電路普遍采用數(shù)?;旌蠈S眉呻娐吩O(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。
          本文介紹一種適用于16 通道、電流脈沖刺激方式的人工耳蝸系統(tǒng)[67]的體內(nèi)刺激電路。
          1 芯片結(jié)構(gòu)和功能
          植入刺激電路的結(jié)構(gòu)如圖1 所示。
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          圖1 植入刺激電路結(jié)構(gòu)示意圖
          植入刺激電路通過(guò)接收線圈接收體外電路發(fā)射的信號(hào),從中提取出數(shù)據(jù)和能量,并對(duì)數(shù)據(jù)解碼形成相應(yīng)的脈沖刺激電流刺激聽神經(jīng)。具體各部分的功能為:(1)接收線圈負(fù)責(zé)接收體外線圈發(fā)射的調(diào)制信號(hào);(2)整流濾波電路對(duì)接收線圈接收到的信號(hào)進(jìn)行整流、濾波,得到12 V 的高壓電源電壓VCC;(3)高壓帶隙基準(zhǔn)模塊產(chǎn)生低壓降穩(wěn)壓器使用的12 V 參考電源電壓Vref; (4)低壓降穩(wěn)壓器負(fù)責(zé)產(chǎn)生33 V 的常壓電源VDD給其他常壓模塊供電;(5)上電復(fù)位電路負(fù)責(zé)在低壓降穩(wěn)壓器輸出到一定電位時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào),控制數(shù)字模塊復(fù)位,進(jìn)入工作狀態(tài);(6)數(shù)據(jù)時(shí)鐘恢復(fù)模塊將線圈接收到的信號(hào)進(jìn)行處理,解調(diào)出數(shù)字控制模塊所需的數(shù)據(jù)信號(hào)(data)和時(shí)鐘信號(hào)(clk); (7)數(shù)字控制模塊負(fù)責(zé)從數(shù)據(jù)時(shí)鐘恢復(fù)模塊恢復(fù)出的數(shù)據(jù)信號(hào)中提取出關(guān)于刺激電流的各種參數(shù)(刺激電極選擇、刺激維持時(shí)間、刺激強(qiáng)度等),控制開關(guān)陣列和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路;(8)常壓帶隙基準(zhǔn)源負(fù)責(zé)產(chǎn)生數(shù)模轉(zhuǎn)換電路所需要的09 V 參考電壓;(9)12 位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的刺激強(qiáng)度產(chǎn)生控制壓控電流源的控制電壓; (10)壓控電流源負(fù)責(zé)根據(jù)數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的控制電壓產(chǎn)生精確的刺激電流;(11)開關(guān)陣列根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的電極序號(hào)選通待刺激的電極,并維持相應(yīng)的刺激時(shí)間。
          體內(nèi)刺激電路有兩個(gè)工作電壓,12 V 高壓電源VCC和3.3 V 常壓電源VDD。使用12 V 高壓電源的模塊為高壓模塊,采用相應(yīng)的高壓工藝進(jìn)行設(shè)計(jì);使用常壓電源的模塊為常壓模塊,采用常壓工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)。采用雙電源既可以有效地降低電路功耗,又可以保證刺激的強(qiáng)度。
          2 關(guān)鍵模塊電路實(shí)現(xiàn)
          2 1 帶隙基準(zhǔn)源
          植入刺激電路中有高壓和常壓兩個(gè)帶隙基準(zhǔn)源,二者均采用了傳統(tǒng)的帶隙結(jié)構(gòu)[8],其核心電路如圖2 所示。通過(guò)雙極型晶體管VBE的負(fù)溫度系數(shù)和不同電流密度的兩個(gè)雙極型晶體管的VBE之差ΔVBE的正溫度系數(shù)相加產(chǎn)生與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓,輸出電壓為
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