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          LED主要參數(shù)及電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)特性

          作者: 時(shí)間:2012-08-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的特性:I-V特性、C-V特性和特性:光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/200120.htm

          1、特性

          1.1I-V特性表征芯片pn結(jié)制備性能主要。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì):單向?qū)щ娦?,即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻,反之為高接觸電阻。

          1.jpg

          (1)正向死區(qū):(圖oa或oa′段)a點(diǎn)對(duì)于V0為開啟電壓,當(dāng)V

          (2)正向工作區(qū):電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系

          IF=IS(eqVF/KT-1)-------------------------IS為反向飽和電流。

          V>0時(shí),V>VF的正向工作區(qū)IF隨VF指數(shù)上升IF=ISeqVF/KT

          (3)反向死區(qū):V0時(shí)pn結(jié)加反偏壓

          V=-VR時(shí),反向漏電流IR(V=-5V)時(shí),GaP為0V,GaN為10uA。

          (4)反向擊穿區(qū)V-VR,VR稱為反向擊穿電壓;VR電壓對(duì)應(yīng)IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V-VR時(shí),則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同,各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。

          1.2 C-V特性

          鑒于LED的芯片有9×9mil(250×250um),10×10mil,11×11mil(280×280um),12×12mil(300×300um),故pn結(jié)面積大小不一,使其結(jié)電容(零偏壓)C≈n+pf左右。

          C-V特性呈二次函數(shù)關(guān)系。

          1.3 最大允許功耗PFm

          當(dāng)流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF

          LED工作時(shí),外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光,還有一部分變?yōu)闊?,使結(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj、外部環(huán)境溫度為Ta,則當(dāng)Tj>Ta時(shí),內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱,散逸熱量(功率),可表示為P=KT(Tj-Ta)。

          1.4 響應(yīng)時(shí)間

          響應(yīng)時(shí)間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢?,F(xiàn)有幾種顯示LCD(液晶顯示)約10-3~10-5S,CRT、PDP、LED都達(dá)到10-6~10-7S(us級(jí))。

          ①響應(yīng)時(shí)間從使用角度來看,就是LED點(diǎn)亮與熄滅所延遲的時(shí)間,即圖中tr、tf。圖中t0值很小,可忽略。

          ②響應(yīng)時(shí)間主要取決于載流子壽命、器件的結(jié)電容及電路阻抗。

          LED的點(diǎn)亮?xí)r間--上升時(shí)間tr是指接通電源使發(fā)光亮度達(dá)到正常的10%開始,一直到發(fā)光亮度達(dá)到正常值的90%所經(jīng)歷的時(shí)間。

          LED熄滅時(shí)間--下降時(shí)間tf是指正常發(fā)光減弱至原來的10%所經(jīng)歷的時(shí)間。

          不同材料制得的LED響應(yīng)時(shí)間各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其響應(yīng)時(shí)間10-9S,GaP為10-7S。因此它們可用在10~100MHZ高頻系統(tǒng)。

          2 LED特性

          發(fā)光二極管有紅外(非可見)與可見光兩個(gè)系列,前者可用輻射度,后者可用光度學(xué)來量度其特性。

          2.1 發(fā)光法向光強(qiáng)及其角分布

          2.1.1 發(fā)光強(qiáng)度(法向光強(qiáng))是表征發(fā)光器件發(fā)光強(qiáng)弱的重要性能。LED大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝,由于凸透鏡的作用,故都具有很強(qiáng)指向性:位于法向方向光強(qiáng)最大,其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度,光強(qiáng)也隨之變化。發(fā)光強(qiáng)度隨著不同封裝形狀而強(qiáng)度依賴角方向。

          2.1.2 發(fā)光強(qiáng)度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個(gè)方向上光強(qiáng)分布。它主要取決于封裝的工藝(包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹脂中添加散射劑與否)

          ⑴為獲得高指向性的角分布

          ①LED管芯位置離模粒頭遠(yuǎn)些;

          ②使用圓錐狀(子彈頭)的模粒頭;

          ③封裝的環(huán)氧樹脂中勿加散射劑。

          采取上述措施可使LED2θ1/2=6°左右,大大提高了指向性。

          ⑵當(dāng)前幾種常用封裝的散射角(2θ1/2角)圓形LED:5°、10°、30°、45°

          2.2 發(fā)光峰值波長及其光譜分布

          ⑴LED發(fā)光強(qiáng)度或光功率輸出隨著波長變化而不同,繪成一條分布曲線--光譜分布曲線。當(dāng)此曲線確定之后,器件的有關(guān)主波長、純度等相關(guān)色度學(xué)亦隨之而定。

          LED的光譜分布與制備所用化合物半導(dǎo)體種類、性質(zhì)及pn結(jié)結(jié)構(gòu)(外延層厚度、摻雜雜質(zhì))等有關(guān),而與器件的幾何形狀、封裝方式無關(guān)。

          下圖繪出幾種由不同化合物半導(dǎo)體及摻雜制得LED光譜響應(yīng)曲線。其中LED光譜分布曲線


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