臺(tái)積電(TSMC)在美國奧斯汀舉行的“Collaborating to Enable Design with the Latest Processors and FinFET Processes, including 7nm”(由美國新思科技、英國ARM和臺(tái)積電于6月6日聯(lián)合舉辦)上，介紹了采用10nm FinFET及7nm FinFET工藝的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)進(jìn)展情況。演講人跟上年一樣。

　　(設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)副處長(zhǎng))

　　初次使用三重曝光的10nm工藝，第一款芯片已于2016年第一季度送廠生產(chǎn)(設(shè)計(jì)完成)。預(yù)計(jì)10nm工藝的量產(chǎn)將于2016年內(nèi)開始。ARM于上周(5月30日)發(fā)布了利用10nm工藝制造的瞄準(zhǔn)智能手機(jī)SoC的CPU內(nèi)核“ARM Cortex-A73”和GPU內(nèi)核“ARM Mali-G71”(參閱本站報(bào)道2)，當(dāng)時(shí)宣布：配備集成有這些內(nèi)核的SoC的智能手機(jī)將于2017年上市。

　　可以考慮每層各異的布線電阻及過孔電阻的設(shè)計(jì)流程　

　　至于7nm工藝，Willy Chen表示“已簽訂了20多個(gè)合同”。已有用戶開始設(shè)計(jì)，將于2017年下半年送廠生產(chǎn)。7nm工藝的量產(chǎn)將于2018年開始。據(jù)Willy Chen介紹，7nm工藝與10nm工藝相比，邏輯集成度將提高60%，性能和耗電量將改善30～40%。另外，Willy Chen表示，希望利用該工藝不僅生產(chǎn)智能手機(jī)，還生產(chǎn)HPC(High Performance Computing)的芯片。

　　雖然有人預(yù)測(cè)7nm工藝將使用四重曝光，不過現(xiàn)在看來可能跟10nm工藝一樣采用三重曝光。Willy Chen介紹說“10nm和7nm工藝的設(shè)計(jì)流程基本相同”，不過，7nm工藝有些地方需要注意，比如要想發(fā)揮高速工藝實(shí)力有三個(gè)要點(diǎn)。即：(1)牢固的時(shí)鐘網(wǎng)布設(shè)方法，(2)削減布線延遲，(3)更加整合的設(shè)計(jì)流程。

　　關(guān)于(1)，既不采用傳統(tǒng)的時(shí)鐘樹，也不采用最近備受關(guān)注的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，而將采用介于兩者之間的方法。關(guān)于(2)布線延遲，根據(jù)每個(gè)布線層單獨(dú)考慮電阻及考慮過孔電阻至關(guān)重要。“僅根據(jù)布線長(zhǎng)度來確定布線延遲已經(jīng)行不通”(Willy Chen)。關(guān)于(3)，則需要可以考慮每層各異的布線電阻及過孔電阻的設(shè)計(jì)流程。