東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。

　　關于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。

　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。

　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(Korea Herald)7月6日報道，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對3-D NAND Flash投資1.5萬億日元(相當于146億美元)。

　　根據(jù)雙方協(xié)議，東芝、Western Digital會在日本三重縣四日市的現(xiàn)有合資廠房新增芯片制造設備，大多數(shù)的資金會用來安裝3-D NAND的制造裝置。

　　東芝3月18日宣布，將在2016年度-2018年度的3年間總計砸下約8，600億日元投資NAND Flash，除將興建3D Flash新廠房之外，也將對現(xiàn)有廠房進行設備更新、提高3D Flash的生產(chǎn)比重。

　　最新報告顯示，2016年Q1(1-3月)NAND Flash品牌商營收季減2.9%至80.64億美元，已連續(xù)兩季衰退。其中東芝NAND Flash營收季增12.8%、增幅遠高于三星的1.2%。

　　Q1東芝NAND Flash全球市占率從2015年Q4(10-12月)的18.6%揚升至21.6%，與三星的市占差距從15個百分點縮小至13.5個百分點。Q1三星市占率為35.1%(2015年Q4為33.6%)穩(wěn)居首位，第3-6名分別為閃迪(市占率15.1%)、美光(13.3%)、SK Hynix(7.9%)和英特爾(6.9%)。