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          臺(tái)積電真的超越英特爾?大客戶(hù)這樣吐槽……

          作者: 時(shí)間:2016-07-20 來(lái)源:天下雜志 收藏
          編者按:幾年以前,整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)都跟著龍頭英特爾的腳步亦步亦趨。為什么會(huì)變成現(xiàn)在這種“一個(gè)制程,各自表述”的混亂場(chǎng)面?

            剛結(jié)束的第二季法說(shuō),困擾業(yè)界、媒體多時(shí)的半導(dǎo)體制程“魔術(shù)數(shù)字”問(wèn)題,首度公開(kāi)。業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部有一套換算方式:的十六奈米等于的二十奈米、十奈米等于的十二奈米……

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201607/294242.htm

            7月14日,2016年第2季法說(shuō),以電話(huà)會(huì)議方式參加的美國(guó)分析師Arete researchz分析師 Brett Simpson,問(wèn)了一個(gè)突兀的問(wèn)題。他竟然要臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音比較一下預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)的十奈米制程,與臺(tái)積電兩年后量產(chǎn)的七奈米制程,性能特征上的差距。

            “你得去問(wèn)我們的顧客,”劉德音有點(diǎn)不快的說(shuō),“我無(wú)法為他們回答?!?/p>

            若是在幾年前,不會(huì)出現(xiàn)這種提問(wèn)。根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界遵循了30年的摩爾定律,7奈米制程領(lǐng)先10奈米一個(gè)技術(shù)世代,制出的電晶體縮小一半,效能、耗電等各項(xiàng)指標(biāo)都會(huì)大幅超越10奈米。兩者根本毫無(wú)比較的必要。

            這位分析師的問(wèn)題,首度將困擾業(yè)界、媒體多時(shí)的半導(dǎo)體制程“魔術(shù)數(shù)字”問(wèn)題,提到公開(kāi)場(chǎng)合。他暗示,臺(tái)積電尚未量產(chǎn)的7奈米與英特爾的10奈米制程,屬于同一個(gè)技術(shù)世代,因此可以相提并論。

            若干臺(tái)積電客戶(hù)認(rèn)同此說(shuō)法。他們也指出,臺(tái)積電目前量產(chǎn)的最尖端制程──獨(dú)吃蘋(píng)果A10處理器的16奈米制程,僅相當(dāng)于英特爾的20奈米制程。

            不到一個(gè)月前,《天下》當(dāng)面詢(xún)問(wèn)臺(tái)積電大客戶(hù)、世界最大IC設(shè)計(jì)公司高通技術(shù)長(zhǎng)葛羅布(Matt Grob)這個(gè)問(wèn)題。他毫不遲疑的大聲說(shuō)“沒(méi)錯(cuò)!(YES)”。

            不只臺(tái)積電,三星與格羅方德的制程數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“美化”。“這些晶圓代工業(yè)者都想辦法把數(shù)字弄得愈小愈好,”葛羅布說(shuō)。

            他表示,結(jié)果是讓業(yè)界“非常非常困擾?!奔词故歉咄▋?nèi)部的會(huì)議簡(jiǎn)報(bào),都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字,而必須經(jīng)過(guò)換算?!拔覀円獑?wèn)清楚,這個(gè)矽晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路?”葛羅布說(shuō)。

            一位資深業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部也有一套換算方式:臺(tái)積電的16奈米等于英特爾的20奈米、10奈米等于英特爾的12奈米。接下來(lái)未定,但看來(lái)“臺(tái)積電的7奈米,比英特爾的10奈米要好一點(diǎn),”他說(shuō)。

            一位前臺(tái)積高階主管,曾向《天下》透露,始作俑者是三星,而時(shí)間點(diǎn)則是在整個(gè)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)時(shí),約在2、3年前。

            臺(tái)積電最早采用FinFET的16奈米制程,原本計(jì)畫(huà)跟隨英特爾,稱(chēng)為20奈米FinFET。因?yàn)樵撝瞥痰碾娋w最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20奈米傳統(tǒng)電晶體制程差不多,只是換上全新的FinFET電晶體。

            但客戶(hù)向臺(tái)積電主管反應(yīng),同樣的制程,三星已搶先命名為“14奈米”。如果臺(tái)積電真叫“20奈米”一定吃悶虧。

            臺(tái)積電從善如流,不久后改名,但只敢叫16奈米?!拔覀冎辽儆悬c(diǎn)良心,不敢(像三星)那樣隨便叫,”這位前臺(tái)積高層苦笑著。

            命名慣例打亂之后,首先延伸出來(lái)的問(wèn)題是,外行人很難搞得清楚,英特爾、臺(tái)積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù)競(jìng)賽,究竟誰(shuí)輸誰(shuí)贏?

            例如,英特爾原先預(yù)期將在今年秋天問(wèn)世的10奈米制程處理器,不久前宣布將會(huì)延后到17年的下半年推出。因此,量產(chǎn)時(shí)間極可能落后也將在同一年量產(chǎn)的臺(tái)積電“10奈米”制程。

            當(dāng)時(shí)部分媒體都以“臺(tái)積電超車(chē)英特爾”大幅報(bào)導(dǎo)。但業(yè)內(nèi)人士都心知肚明,其實(shí),彼“10奈米”不等于此“10奈米”,目前,臺(tái)積電仍落后英特爾一個(gè)技術(shù)世代以上。

            只不過(guò),這個(gè)“臺(tái)灣希望”正迎頭趕上?!斑^(guò)去英特爾對(duì)臺(tái)積電有較大的技術(shù)領(lǐng)先,”高通營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)戴瑞克說(shuō),“我們認(rèn)為這些差距正在縮小,而且還會(huì)持續(xù)縮小?!?/p>



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