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          格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

          作者: 時(shí)間:2016-09-12 來(lái)源:SEMI 收藏

            9月8日發(fā)布12nm 半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗,并通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能,專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201609/296837.htm

            隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn),世界正在逐步融合為一體,眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng),集成包括無(wú)線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來(lái)越多的組件,這不斷驅(qū)動(dòng)著對(duì)超低功耗的需求。半導(dǎo)體全新的12FDX工藝正是專為實(shí)現(xiàn)這前所未有的系統(tǒng)集成度、設(shè)計(jì)靈活性和功耗調(diào)節(jié)而設(shè)計(jì)。

            12FDX為系統(tǒng)集成樹(shù)立了全新標(biāo)準(zhǔn),提供了一個(gè)將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲(chǔ)和高級(jí)邏輯整合到一個(gè)芯片的優(yōu)化平臺(tái)。此外,該工藝還通過(guò)軟件控制晶體管實(shí)現(xiàn)按需提供峰值性能,同時(shí)平衡靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗以取得頂級(jí)能效,實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最廣泛的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)和無(wú)與倫比的設(shè)計(jì)靈活性。

            

           

            半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示:“某些應(yīng)用需要FinFET晶體管的高級(jí)性能,但大多數(shù)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要在性能和功耗之間實(shí)現(xiàn)更高的集成度和靈活性,同時(shí)還要求低于 FinFET的成本。格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智能系統(tǒng)提供了一條新路徑,填補(bǔ)了行業(yè)路線圖的空白。我們的FDX平臺(tái)可大幅降低設(shè)計(jì)成本,重新打開(kāi)了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)遷移的大門(mén),并促進(jìn)生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的進(jìn)一步創(chuàng)新。”

            格羅方德半導(dǎo)體全新的12FDX工藝基于一個(gè)12nm全耗盡平面晶體管()平臺(tái),能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。該平臺(tái)支持全節(jié)點(diǎn)縮放,性能比現(xiàn)有FinFET工藝提升了15%,功耗降低了50%。

            林利集團(tuán)的創(chuàng)始人兼首席分析師Linley Gwennap評(píng)價(jià)說(shuō):“芯片制造已經(jīng)不再是將某一個(gè)微縮工藝用于一切產(chǎn)品。雖然FinFET是最高性能產(chǎn)品的首選技術(shù),但對(duì)于許多成本敏感型的移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品來(lái)說(shuō),其要求以盡可能低的功耗提供仍然足夠的時(shí)鐘速度,行業(yè)路線圖并不夠清晰。格羅方德半導(dǎo)體的22FDX和12FDX技術(shù)定位恰到好處,填補(bǔ)了這一空缺,為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)提供了另一個(gè)替代遷移路徑,尤其是針對(duì)那些希望降低功耗卻不增加量產(chǎn)成本的設(shè)計(jì)。格羅方德半導(dǎo)體現(xiàn)在是22nm及以下節(jié)點(diǎn) FD-SOI的唯一提供者,在業(yè)內(nèi)擁有明確的差異化特征。”

            VLSI研究的董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官G.Dan Hutcheson說(shuō):“格羅方德半導(dǎo)體的22FDX 工藝平臺(tái)面世之初,我便注意到了其具備能夠改變市場(chǎng)游戲規(guī)則的一些特性。對(duì)于希望實(shí)現(xiàn)差異化設(shè)計(jì)的廠商來(lái)說(shuō),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)權(quán)衡功耗和性能是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題?,F(xiàn)在格羅方德半導(dǎo)體提供全新的12FDX ,明確顯示了其要為這種技術(shù)提供一個(gè)路線圖的承諾,尤其是針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)市場(chǎng)——這兩者是當(dāng)下最具顛覆性的市場(chǎng)力量,我相信格羅方德半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)將成為這一顛覆的關(guān)鍵推動(dòng)者。”

            IBS, Inc創(chuàng)始人兼CEO Handel Jones表示:“FD-SOI技術(shù)能夠?yàn)槟切┬枰町惢O(shè)計(jì)的廠商實(shí)現(xiàn)功耗、性能和成本之間的實(shí)時(shí)權(quán)衡。格羅方德推出全新12FDX,提供了業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI路線圖,為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)提供了一條最低成本的遷移路徑,有助于實(shí)現(xiàn)未來(lái)的智能客戶端、5G、AV/VR和汽車(chē)市場(chǎng)互聯(lián)系統(tǒng)。”

            目前,格羅方德位于德國(guó)德累斯頓的正在全力準(zhǔn)備進(jìn)行12FDX平臺(tái)的研發(fā)活動(dòng)和后續(xù)生產(chǎn)??蛻袅髌A(yù)計(jì)將于2019年上半年啟動(dòng)。

            中科院院士、上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦博士表示:“我們?yōu)楦窳_方德半導(dǎo)體的12FDX產(chǎn)品和其將為中國(guó)客戶帶來(lái)的價(jià)值感到非常高興。FD-SOI路線圖的拓展,將幫助客戶更好利用FDX技術(shù)功耗效率和性能優(yōu)勢(shì),打造出在移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等市場(chǎng)有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。”

            恩智浦(NXP)半導(dǎo)體i.MX應(yīng)用處理器產(chǎn)品線副總裁Ron Martino指出:“恩智浦半導(dǎo)體公司的下一代多媒體應(yīng)用處理器正在使用FD-SOI的優(yōu)勢(shì),以奠定其在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中提供超低功耗和按需調(diào)整性能的領(lǐng)先地位。格羅方德半導(dǎo)體的12FDX技術(shù)將FD-SOI拓展到了下一個(gè)節(jié)點(diǎn),是對(duì)這個(gè)行業(yè)一個(gè)極大的補(bǔ)充。其將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大平面結(jié)構(gòu)器件提供更低風(fēng)險(xiǎn)、更廣泛動(dòng)態(tài)范圍以及更具競(jìng)爭(zhēng)力性價(jià)比的能力,從而實(shí)現(xiàn)未來(lái)的智能聯(lián)網(wǎng)安全系統(tǒng)。”

            芯原股份有限公司總裁兼首席執(zhí)行官戴偉民說(shuō):“芯原股份有限公司利用其平臺(tái)化芯片設(shè)計(jì)服務(wù)(SiPaaS)和為片上系統(tǒng)提供一流IP和設(shè)計(jì)服務(wù)的經(jīng)驗(yàn),成為FD-SOI設(shè)計(jì)的先行者之一。FD-SOI技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)為我們?cè)谄?chē)、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)連接和消費(fèi)電子市場(chǎng)細(xì)分領(lǐng)域具備了差異化特征。我們期待擴(kuò)大和格羅方德半導(dǎo)體的合作,利用其12FDX向我們中國(guó)市場(chǎng)的客戶提供高質(zhì)量、低功耗和經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。”

            法國(guó)原子能中心科研所(CEA Tech)下屬研究機(jī)構(gòu)CEA-LETI首席執(zhí)行官M(fèi)arie Semeria指出:“12FDX的發(fā)展將在功耗、性能和智能調(diào)節(jié)方面實(shí)現(xiàn)另一個(gè)突破,因?yàn)?2nm能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的雙重曝光,而且能夠以最低的制程復(fù)雜度提供最好的系統(tǒng)性能和功耗。LETI團(tuán)隊(duì)和格羅方德半導(dǎo)體在美國(guó)和德國(guó)為了FD-SOI技術(shù)的擴(kuò)展路線圖相互協(xié)作,取得了這個(gè)可喜的成果,其將成為實(shí)現(xiàn)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的片上系統(tǒng)完全集成的最佳平臺(tái)。”

            Soitec的首席執(zhí)行官Paul Boudre說(shuō):“我們非常高興地看到22FDX擁有強(qiáng)大的發(fā)展動(dòng)力,擁有非常堅(jiān)定的無(wú)晶圓廠商客戶采用者。格羅方德12FDX技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大FD-SOI的市場(chǎng)普及。Soitec已經(jīng)做好充分的準(zhǔn)備來(lái)支持格羅方德半導(dǎo)體,為其提供高產(chǎn)量、高質(zhì)量的22nm至12nm的FD-SOI襯底。”



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