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          X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

          —— 新一代針對(duì)數(shù)字設(shè)計(jì)占比高的車規(guī)級(jí)工藝
          作者: 時(shí)間:2023-06-02 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          中國(guó)北京,202362——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠 Silicon Foundries)今日宣布,成為業(yè)界首家推出110納米解決方案的代工廠,由此加強(qiáng)了其在技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOIDTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202306/447270.htm

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          X-FAB采用首個(gè)110納米BCD-on-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)下一代汽車應(yīng)用 

          通過(guò)轉(zhuǎn)移到較低的工藝節(jié)點(diǎn),X-FAB XT011產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)密度達(dá)到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體平臺(tái)的兩倍;對(duì)于SONOS嵌入式閃存的實(shí)現(xiàn),相較于XT018,其面積也減少了35%;此外,超低導(dǎo)通電阻(R(ds)on)高壓N溝道器件的性能是另一個(gè)重要特性(相比XT018工藝有超過(guò)25%的改進(jìn))。顯著增強(qiáng)的熱性能意味著可以更好地解決大電流應(yīng)用的難題——這點(diǎn)通常與對(duì)Bulk BCD工藝的期望相匹配。 

          此種全新BCD-on-SOI技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)符合AEC-Q100 Grade 0等級(jí)的設(shè)計(jì)需求,具有高度穩(wěn)健性。其工作溫度范圍為-40175℃,還表現(xiàn)出較高的抗EMI能力。由于沒(méi)有寄生雙極效應(yīng),發(fā)生閂鎖的風(fēng)險(xiǎn)完全消除,從而確保最高程度的操作可靠性。 

          X-FABXT011提供了全面的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)以及廣泛的IP元素,如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此,客戶將擁有實(shí)現(xiàn)“首次成功(first-time-right)”設(shè)計(jì)所需的所有手段,并將轉(zhuǎn)化為更短的上市時(shí)間。 

          XT011工藝主要針對(duì)需要更高級(jí)別數(shù)據(jù)處理能力的下一代車載應(yīng)用。此外,它將為現(xiàn)有的工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品提供通往更小幾何尺寸的路徑。 

          X-FAB已經(jīng)作為BCD-on-SOI技術(shù)的首選晶圓廠而廣為人知;此次成為首家過(guò)渡至110納米的晶圓廠,進(jìn)一步突出了我們?cè)谶@一領(lǐng)域無(wú)與倫比的專業(yè)知識(shí)?!?/span>X-FAB的首席技術(shù)官Joerg Doblaski表示,“通過(guò)此新一代車規(guī)級(jí)工藝,我們將為客戶構(gòu)建生產(chǎn)更復(fù)雜且高度集成智能模擬產(chǎn)品所需的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)?!?/span> 

          采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥(Corbeil-Essonnes)工廠制造。量產(chǎn)將于2023年下半年啟動(dòng)。 

          縮略語(yǔ):

          BCD       Bipolar-CMOS-DMOS

          CMOS           互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

          DTI         深槽隔離

          EDA       電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

          SOI        絕緣體上硅

          SONOS  -氧化物-氮化物-氧化物-



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