在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關注之下，2D或者說平面NAND仍將在3D技術普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩年的NAND設計方案推向16納米工藝、甚至更進一步。

我們采訪了美光公司NAND解決方案部門副總裁Glen Hawk，他簡要介紹了方案的變化情況。作為存儲業(yè)務的直接負責人，他首先談到美光在閃存業(yè)務方面的兩大基本原則。

第一，他認為美光是一家閃存代工廠商，而“閃存制造商身份使其在SSD領域具有先天優(yōu)勢。”從本質上講，他們的供應鏈條更具確定性——許多存儲企業(yè)由于缺乏對下一代芯片的了解而慘遭市場淘汰——同時能憑借自身優(yōu)勢將閃存設計、控制器功能以及固件方案進行整合。第二，美光始終專注于企業(yè)級市場。

下面我們將采訪中提出的問題進行歸類，并以言簡意賅的方式歸納他的回答。

記者: 美光公司對于閃存軟件的態(tài)度是怎樣的?

Glen Hawk: 軟件顯然是以后才需要考慮的對象。我們的最佳策略在于同客戶緊密合作，利用對方的專業(yè)知識解決軟件難題。目前軟件對于我們的企業(yè)發(fā)展影響還不明顯。

記者: 美光公司對于NVMe的態(tài)度又是怎樣?

Glen Hawk: 這才是我們需要關注的內容。目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)一些來自競爭對手的標準，我們將根據(jù)客戶的需要提供相應支持。

記者: 美光公司怎么看3bit每單元(簡稱TLC)閃存?

Glen Hawk: 我們擁有一套強大的TLC芯片組合。根據(jù)我們的策略，每種光刻技術都擁有與之對應的SLC、MLC與TLC產(chǎn)品。我們會根據(jù)不同市場周期推出不同的存儲產(chǎn)品。

目前閃存市場處于供不應求的狀態(tài)，我們在努力為希望使用SLC及MLC產(chǎn)品的客戶提供服務。不過我們的生產(chǎn)能力有限，僅夠勉強供應客戶需要的SLC及MLC SSD。有鑒于此，我們在很長一段時間內都不太可能推出TLC SSD產(chǎn)品。

記者: 請再聊聊128Gbit產(chǎn)品。

Glen Hawk: 我們目前已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)20納米128Gbit產(chǎn)品。我們還在嘗試通過16納米工藝生產(chǎn)128Gbit產(chǎn)品——容量本身并無區(qū)別，但體積更小。美光目前正在調整SSD開發(fā)與光刻工藝，并計劃在2014年前半年推出16納米SSD。

兩年前，我們對基礎平面單元架構做出了改動、嘗試采用高K絕緣柵介質與金屬柵極結構。這兩大方案的引入使我們成功邁向規(guī)?；a(chǎn)，也將成為16納米光刻技術走向現(xiàn)實的重要基礎。

記者: 美光會不會再次革新平面光刻工藝或者選擇3D方案?

Glen Hawk: 目前我們在同時嘗試這兩條路線。3D技術成本拐點的出現(xiàn)時間取決于我們能將多少閃存單元彼此重疊。

(注：作為全球第一大NAND供應商，三星公司剛剛公布了其量產(chǎn)型垂直堆疊3D V-NAND。目前的方案采用三層128Gbit結構，最終將發(fā)展為二十四層，搭配Through-Silicon Vias(簡稱TSV)互連技術。三星并未透露該芯片使用的具體光刻技術類型。)

記者: 什么樣的客戶愿意將PCIe閃存與服務器相結合，服務器制造商還是其它企業(yè)?

Glen Hawk: 我想服務器制造商應該是PCIe閃存卡整合趨勢的主要推動者，例如惠普、戴爾以及IBM等服務企業(yè)級客戶的廠商。不過目前的市場正在發(fā)生變化，我們需要做好多手準備。

我認為Fusion-io公司將不可避免地將更多精力集中在軟件開發(fā)領域。不少OEM廠商也將參與進來，市場的價值鏈條將迎來重組。

記者: 您怎么看閃存技術領域中的諸多收購案例?

Glen Hawk: 目前，美光公司在瘋狂的收購浪潮中始終保持冷靜。我們一路走來，依靠自身資源從無到有建立起自己的技術實力。當然，我們也是市場中的一員，而且曾經(jīng)在英國收購過Virtensys公司。不過總體而言，當前的收購對象估值過高，這反映出收購方與被收購方之間巨大的實力差距。

此外，收購方的交易案例很可能被視為向客戶挑釁的舉動。

記者: 當下情況似乎已經(jīng)很清楚，美光有能力利用自身16納米技術創(chuàng)建容易更大的產(chǎn)品。16納米芯片必然會在體積上小于20納米芯片，這將幫助美光及其OEM伙伴順利打造出在容量上超過當前產(chǎn)品的閃存設備。

舉例來說，美光的M500客戶機SSD使用20納米NAND，其容量在120GB到960GB之間。我們估計16納米工藝的介入會為其帶來雙倍容量，即240GB到1.92TB之間。

我們即將迎來閃存設備與陣列容量大幅提升的新時代，而這一切都要歸功于由20納米向16納米演變的技術改進。