一位感嘆記憶體晶片發(fā)展速度比預(yù)期緩慢的研究人員表示，軟體開發(fā)工程師需要開始撰寫應(yīng)用程式，好為採用新型永久記憶體的伺服器鋪路…

　　有一系列永久記憶體正在醞釀，旨在突破成為提升伺服器運(yùn)算性能障礙的存取速度瓶頸，不過無論是記憶體晶片本身或是其編程模型(programming model)都還在開發(fā)階段。

　　Hewlett Packard Enterprise (HPE)的資深研究員Dhruva Chakrabarti表示，有部分資料庫已經(jīng)能支援採用非揮發(fā)性快閃記憶體的記憶體內(nèi)運(yùn)作(in-memory operation)，而現(xiàn)在：「人們需要開發(fā)新種類的應(yīng)用程式…我們還沒有已經(jīng)準(zhǔn)備好適合永久記憶體的優(yōu)良應(yīng)用程式?！?/p>

　　與傳統(tǒng)硬碟機(jī)儲存方案相較，新一代的永久記憶體能為資料中心大幅提升性能

　　Chakrabarti表示，與採用傳統(tǒng)硬碟機(jī)(hard-disk)儲存方案的系統(tǒng)相較，採用永久記憶體能讓Atlas線上商務(wù)平臺的運(yùn)作速度提升數(shù)倍：「我們還離那樣的境界很遠(yuǎn)，但是已經(jīng)來到了可以嘗試的時(shí)間點(diǎn)。」

　　採用NVDIMM的伺服器環(huán)境，通?？蓛?nèi)建8~16 Gbytes快閃記憶體，但利用下一代的記憶體如英特爾(Intel)的3D XPoint，可望帶來500 Gbytes甚至TByte等級的容量，而且能以更低延遲執(zhí)行;可惜的是，市場觀察家預(yù)期那些新一代記憶體還需要至少兩年的時(shí)間才能廣泛上市。

　　Chakrabarti指出，硬體的延遲：「讓人有些失望，但那會(huì)是一個(gè)重要的轉(zhuǎn)捩點(diǎn);」他預(yù)期，大概要到2020年才會(huì)有資料庫與儲存檔案系統(tǒng)應(yīng)用的永久記憶體問世，而估計(jì)該類儲存方案能被更廣泛種類伺服器應(yīng)用的程式語言支援之前，需要5~10年時(shí)間。

　　他表示：「希望有人可以開始撰寫那些應(yīng)用程式，甚至能透過程式庫的形式呈現(xiàn)，如此就能說服產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織在編程語言中支援永久記憶體，并讓該類記憶體儲存方案也獲得編譯器(compiler)與工具鏈的支援。

　　Chakrabarti是在一場由儲存網(wǎng)路產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Storage Networking Industry Association，SNIA)主辦的會(huì)議上發(fā)表演說;該協(xié)會(huì)旗下有一個(gè)工作小組，正在為永久記憶體儲存開發(fā)編程模型，此外還有鎖定Linux平臺的開放源碼方案。

　　Atlas 利用執(zhí)行階段程式庫(runtime library)來為永久記憶體儲存同步并創(chuàng)建日志

　　2020年的MRAM與ReRAM

　　在同一場SNIA會(huì)議上，還有一位英特爾的研究人員介紹了以pmem.io開放源碼專案為基礎(chǔ)、支援永久記憶體的候選程式庫;此外有一位微軟(Microsoft)的研究員則是介紹了支援SNIA之Open NVM Programming Model 1.0之Windows版本開發(fā)現(xiàn)況。

　　不過也有人對那些仍在起步階段的軟體開發(fā)投入抱持質(zhì)疑態(tài)度，一位獨(dú)立契約開發(fā)者Christoph Hellwig就表示：「人們總是試著在任何事物完成之前就先發(fā)表意見，但往往當(dāng)實(shí)際的硬體問世之后，情況會(huì)變得更有趣?！?/p>

　　在永久記憶體儲存硬體方面，Web-feet Research分析師Alan Niebel仍然對採用英特爾3D Xpoint的固態(tài)硬碟與DIMM抱持希望，認(rèn)為該類產(chǎn)品可在2017年底以前上市;他表示，一年前發(fā)表的XPoint記憶體技術(shù)讓市場抱持高度期望：「現(xiàn)在我們?nèi)栽诘却！?/p>

　　在此同時(shí)，記憶體開發(fā)商Everspin推出了256 Mbit的MRAM元件，并承諾在明年推出Gbit的MRAM產(chǎn)品，號稱存取速度與耐久性都優(yōu)于XPoint。而XPoint記憶體則號稱能在未來支援更快速的讀取，以及以百倍幅度增加的儲存密度。新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies則預(yù)定在下個(gè)月公布其MARM技術(shù)最新進(jìn)展。

　　往更遠(yuǎn)看，儲存大廠Western Digital則表示將在2020年以前推出採用電阻式記憶體(ReRAM)的替代方案;還有Sony正在自己開發(fā)針對機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用量身打造的新一代記憶體，可能會(huì)搭配其電腦視覺應(yīng)用的成像器。另一家新創(chuàng)公司Nantero則聲稱將在2019年推出採用碳奈米管技術(shù)的Gbit等級記憶體晶片。