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          臺積電攜手新思科技 開發(fā)7納米制程設計平臺

          作者: 時間:2016-10-19 來源:TechNews 收藏

            半導體設計公司(Synopsys)17日宣布,將與晶圓代工龍頭合作推出針對高效能運算(High Performance Compute)平臺的創(chuàng)新技術,而這些新技術是由合作的7納米制程Galaxy設計平臺的工具所提供。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201610/311512.htm

            據(jù)了解,此次兩家公司共同開發(fā)的技術包括:通路銅柱(via pillar)、多源樹合成(TCS)和混合時脈網(wǎng)格(clock mesh),以及可配合關鍵網(wǎng)(critical net)上阻力及電阻的自動化匯流排繞線(automated bus routing)等功能。在這些新科技的支援下,將可幫助芯片設計人員,針對7納米制程進行先進的高效能設計。

            通路銅柱技術是一種透過減少通路電阻與提升電子遷移(electromigration)的強度,來提高效能的新技術。Design Compiler Graphical和IC Compiler II已將通路銅柱無縫融入其流程中,包括:在電路網(wǎng)表中插入通路銅柱、在虛擬繞線圖中模擬通路銅柱、通路銅柱的合理擺置(legalized placement),以及支援通路銅柱的細部繞線、萃取(extraction)和時序。

            IC Compiler II的多源CTS和混合時脈網(wǎng)格在關鍵網(wǎng)上插入通路銅柱之后,全域(global)與細部繞線再調(diào)整訊號繞線,以插置通路銅柱。IC Compiler II可打造出具高定制化網(wǎng)格的低偏差與高效能的時脈設計,以及針對時脈進行自動H樹建置(H-tree creation)。此外,IC Compiler II也可搭配關鍵網(wǎng)的阻力及電阻,進行自動化的匯流排繞線,并且支援非預設(non-default)繞線和允許使用者設定層寬度(layer width)和間距(spacing)。

            新思科技設計事業(yè)群產(chǎn)品行銷副總裁Bijan Kiani表示,新思科技在設計前段(front-end)到實體實作(physical implementation)的流程具備整合而專業(yè)的技術,而結合臺積電的頂尖制程科技,開發(fā)出輔助高效能設計的創(chuàng)新技術。借由這些創(chuàng)新技術,我們的共同客戶將可創(chuàng)造最先進的高效能設計。

            臺積電設計基礎架構行銷事業(yè)部資深協(xié)理Suk Lee指出,臺積電致力于協(xié)助半導體設計人員運用最新的制程科技來打造最快速的芯片,以符合現(xiàn)代芯片設計的高效能要求。因此,臺積電與新思科技密切合作,共同針對臺積電的HPC平臺推出ASIC-based的設計流程(design flow)及方法論(methodology)。



          關鍵詞: 臺積電 新思科技

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