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          OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

          作者: 時間:2016-10-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是面向低壓馬達(dá)驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201610/311550.htm

            更環(huán)保的技術(shù)

            堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品,以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),它可以降低電信設(shè)備能耗,或者改善電動汽車的功率和續(xù)航里程。

            與它的下一代最佳替代產(chǎn)品相比,采用SuperSO8封裝的OptiMOS™ 5 150 V可以將導(dǎo)通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導(dǎo)通電阻相同的情況下,該產(chǎn)品家族的FOMg比上一代產(chǎn)品優(yōu)化了高達(dá)29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代產(chǎn)品SuperSO8低72%——增強(qiáng)了通流耐受性。該產(chǎn)品家族的另一個杰出特性是其更出色的EMI性能。

            

           

            

           

            



          關(guān)鍵詞: 英飛凌 MOSFET

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