貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應用。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202407/461344.htm貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中樹立高質(zhì)量標桿,并進一步利用英飛凌獨特的XT互聯(lián)技術(shù)來提高半導體芯片的性能和散熱能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號)。CoolSiC? G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的關(guān)鍵性能(例如存儲能量和電荷)提高了20%,不僅提升了整體能效,還進一步推動了低碳化進程。G2的散熱能力提高了12%,并將CoolSiC?的SiC性能提升到了一個新的水平。其快速開關(guān)能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%(取決于負載條件),具有出色的節(jié)能效果。
CoolSiC? G2的新一代SiC技術(shù)能夠加速設計成本更加優(yōu)化,且更加緊湊、可靠、高效的系統(tǒng),從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場每瓦功率的二氧化碳排放量。
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