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          可控硅驅動電路

          作者: 時間:2016-11-16 來源:網絡 收藏

          MOC3061在熱線開關中的應用電路如圖2 所示, 在驅動中的實際電路如圖3 所示。圖中R1 為限流電阻,使輸入的L ED電流分別為15mA (MOC3061)、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式計算:

          當增加。
          R2 是雙向的門極電阻,當可控硅靈敏度較高時, 門極阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干擾能力。
          R3 是觸發(fā)功率雙向可控硅的限流電阻,其值由交流電網電壓峰值及觸發(fā)器輸出端允許重復沖擊電流峰值決定,可按下式選取:

          外39Ω 電阻和0. 01μF 電容組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。建議用該電路驅動兩個反并聯(lián)(背對背)的可控硅開關(元件) ,圖中穩(wěn)壓管可選用1N4001,電阻R2和R3 可選擇300Ω。



          關鍵詞: 可控硅 驅動電路

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