ROHM新聞發(fā)布會(huì)上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。

　　ROHM的德國(guó)發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、更安全可靠。在德國(guó)有設(shè)計(jì)中心，最多可控制40個(gè)燈。

　　ROHM的另一位發(fā)言人(左2)介紹了電源趨勢(shì)與方案。芯片更小，意味著模塊更小。同時(shí)密度更高。使系統(tǒng)更酷(cool)?？捎糜谄?，工業(yè)等應(yīng)用。還有SiC增加可靠性，提高效率，損耗更低，形狀因數(shù)更小，適合EV/HEV車。

　　Venturi參加了方程式E系列賽車競(jìng)賽。右2發(fā)言人介紹了方程式E賽車采用RHOM逆變器/SiC的原因：RHOM產(chǎn)品小、強(qiáng)大(性能更高)，且更快。體積減少30%。由于采用新的逆變器，有1.7%的效率提升，1-2公斤的重量減少，意味著車更c(diǎn)ool(涼/酷)。當(dāng)增加動(dòng)力性能時(shí)，往往意外著重量增加，ROHM幫助車隊(duì)克服挑戰(zhàn)。未來(lái)希望進(jìn)一步降低排放。賽車追求速度，之前要進(jìn)行很多軟件仿真等。

　　右1發(fā)言人談到車手的挑戰(zhàn)，希望車的動(dòng)力強(qiáng)大，但是動(dòng)力總是有限的，要會(huì)管理動(dòng)力，了解道路，對(duì)引擎管理，使性能發(fā)揮到極限。新一代ROHM SiC采用了新的溝道(trench)技術(shù)，期待性能更加提升。