TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業(yè)利益率也可望再創(chuàng)今年新高。

　　三星電子

　　由于第三季中國智能手機品牌對于高容量eMMC/UFS的需求強勁，讓三星成為最大贏家。三星在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領先同業(yè)，企業(yè)級SSD產品更借出色的性價比出貨強勁。第三季三星NAND Flash位元出貨量季成長約20%，營收季成長約20%。

　　展望第四季，智能手機的需求將帶動高容量eMMC/UFS與eMCP的需求攀升至年度高點，再加上三星在用戶級、企業(yè)級SSD的市占率增加，預估第四季三星的營運表現(xiàn)將較第三季更出色。

　　SK海力士

　　同樣受惠中國智能手機的eMMC/eMCP需求，及其他品牌新機上市的備貨需求帶動，使得第三季SK海力士NAND Flash位元出貨量季增12%，平均銷售單價更季成長7%，營收亦大幅季增20.3%，至10.61億美元。

　　SK海力士3D-NAND Flash的產能在今年底前將達每月2～3萬片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可開始放量出貨，第四代的3D-NAND Flash有機會在明年下半開始少量生產。

　　東芝電子

　　同樣受惠于整體NAND Flash市況好轉，東芝電子在其會計年度2016年第二季(7～9月)位元出貨量季增15%，平均銷售單價跌幅減緩，整體營收季增約17%，營業(yè)利益率也呈現(xiàn)季成長，營運表現(xiàn)漸入佳境。

　　產能規(guī)劃部分，東芝電子現(xiàn)有第二半導體廠已全力生產3D-NAND Flash，第四季產能達每月4萬片，待2017年64層堆棧的3D-NAND Flash順利量產后，產能提升速度將更快，而其第六半導體廠房新建計劃，將從明年二月開始動工。

　　西數(shù)

　　從西數(shù)2017會計年度第一季相關NAND Flash的表現(xiàn)來看，其64層堆棧的3D-NAND Flash是投資焦點。目前64層堆棧的3D-NAND Flash產品正處OEM客戶測試階段，預計今年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上，而其48層堆棧的產品已在eMMC/eMCP等行動式NAND及外插式產品在線量產。

　　現(xiàn)階段15納米 2D-NAND Flash仍為西數(shù)主流制程，良率及成本效益都已達最佳化，因此對利潤提升有很大幫助，2017年西數(shù)的NAND Flash位元產出成長率預期將達45%。

　　美光

　　美光2016會計年度第四季(6～8月)位元出貨量季成長13%，平均銷售單價下滑1%，非揮發(fā)性內存(Non-Volatile)營收季成長約10%，至10億美元，在產品營收比重上，Component base略微下降至50%、行動式NAND產品微幅上升至18%、SSD則占13%，車用及其他類別占約19%。

　　美光3D-NAND Flash架構的行動式NAND在客戶端得到不錯評價外，用戶級SSD也已開始量產出貨，而企業(yè)級SSD位元出貨量更大幅季成長逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash(TLC)版本成為主流后，將可改善美光SSD的成本架構。

　　英特爾

　　第三季英特爾NAND Flash位元出貨量大幅季增25%以上，營收也季成長17%，至6.49億美元，結束連續(xù)三個季度的衰退。

　　從產品規(guī)劃來看，雖然英特爾16納米與20納米依舊為產品組合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企業(yè)級固態(tài)硬盤已順利出貨放量，性價比已較上個世代產品更具競爭力。在產能規(guī)劃上，英特爾大連廠第四季產能約為每月1萬片，至明年開始將逐季提升。