電力電子裝置CPU，布局IGBT符合國(guó)家戰(zhàn)略需求。IGBT是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。具有驅(qū)動(dòng)功率小、輸入阻抗大、控制電路簡(jiǎn)單、通斷速度快、工作頻率高和開(kāi)關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、新能源裝備、智能電網(wǎng)、軌道交通和航空航天等領(lǐng)域。IGBT是能源變換和傳輸?shù)淖詈诵钠骷追Q電力電子裝置的CPU，是目前最先進(jìn)應(yīng)用最廣泛的第三代功率半導(dǎo)體器件。作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，IGBT在設(shè)計(jì)國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防安全等領(lǐng)域占據(jù)重要地位。

　　IGBT結(jié)構(gòu)示意圖及等效電路圖

　　IGBT技術(shù)演進(jìn)圖

　　進(jìn)口替代國(guó)是我國(guó)IGBT發(fā)展趨勢(shì)。我國(guó)IGBT器件90%依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)市場(chǎng)份額主要被歐美、日本企業(yè)壟斷。中國(guó)IGBT企業(yè)在研發(fā)與制造工藝方面極度缺乏經(jīng)驗(yàn)，與世界先進(jìn)水平差距很大。同時(shí)IGBT都是關(guān)鍵設(shè)備上的核心部件，設(shè)備廠商更換國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)很大，這也是制約國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品進(jìn)入高端市場(chǎng)的障礙。近年在政策支持和市場(chǎng)推動(dòng)下，IGBT產(chǎn)業(yè)得到迅速發(fā)展，“十一五”和“十二五”期間，國(guó)家也組織實(shí)施了眾多的IGBT研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，和28nm/16nm集成電路制造一樣，IGBT也被列為國(guó)家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。目前國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程正在提速階段，國(guó)內(nèi)擺脫進(jìn)口依賴的期望持續(xù)增強(qiáng)。

　　2014年國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)份額

　　我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模不斷上升

　　新能源是汽車和充電樁是IGBT未來(lái)最大的增量市場(chǎng)。從成本上看，IGBT模塊占新能源汽車控制器成本約50%，占電動(dòng)汽車成本約10%，占充電樁成本約20%，預(yù)計(jì)未來(lái)5年新能源電動(dòng)汽車和充電樁將帶動(dòng)IGBT模塊快速增長(zhǎng)。2014國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模92.2億元，占全球市場(chǎng)1/3左右，預(yù)計(jì)“十三五”期間復(fù)合增長(zhǎng)率15%，到2020年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模將近186億元。