一般估計(jì)，DRAM的位元出貨成長率(bit growth)低于40%，DRAM廠商便可獲利，而2017年因?yàn)榇髲S沒有新的投資計(jì)劃，DRAM的出貨成長率甚至可能低于20%，所有的大廠都可能因此受惠。這也是DRAM產(chǎn)業(yè)成形以來，出貨成長率首度可能低于20%的年份，不少人甚至認(rèn)為，DRAM將有個(gè)不算短的好光景。

　　  三星電子(Samsung Electronics)高層最近提到，2017年位元成長率可能為15~20%，對(duì)于2017年的獲利，抱持著高度的期待，而美光(Micron)也在2016年底的法說會(huì)上，提出類似的看法，SK海力士(SK Hynix)則指出，DRAM投資轉(zhuǎn)向NAND Flash，因此DRAM的供應(yīng)量，將于低于需求量的成長率。在DRAM大廠多數(shù)的異口同聲下，遙遙領(lǐng)先的三星，當(dāng)然可以好整以暇等待大筆獲利入袋。

　　  深究近期DRAM沒有新投資，關(guān)鍵在于技術(shù)尚未突破，生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換并無意義?；仡?990年代，甚至2000年開始的前5年，全球DRAM市場的位元成長率動(dòng)輒70~90%，造成大家流血競爭，直到全球DRAM市場整合為三星、海力士、美光三大廠后，成長率就維持在25~30%，市場景氣與獲利狀況，開始進(jìn)入黃金階段。

　　  在NAND Flash的位元成長率方面，三星估計(jì)是30~35%，美光則認(rèn)為35~40%，與2016年的40%相去不遠(yuǎn)。目前廠商將資源集中于3D NAND的投資，但技術(shù)上的突破十分困難，要大量增加供給也非常困難，市場上對(duì)于固態(tài)硬碟(SSD)的需求未曾減少，估計(jì)2017年也可能是個(gè)豐收年。

　　  預(yù)期三星、SK海力士兩大半導(dǎo)體獲利，在2017年有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)30兆韓元(約263億美元)的新高水準(zhǔn)。除了記憶體價(jià)格上揚(yáng)之外，晶圓代工的商機(jī)也備受期待。

　　  根據(jù)市場的判斷，三星2017年的獲利，將比2016年成長60%，SK海力士甚至可能倍數(shù)成長，預(yù)期的獲利都是歷史新高。回顧過去1年，記憶體價(jià)格從2016年中開始穩(wěn)定上揚(yáng)，預(yù)期2017年第2季PC DRAM價(jià)格雖有可能下滑，但因技術(shù)瓶頸，供給沒有增加，所以第3季便可能回穩(wěn)。

　　  過去月產(chǎn)能15萬片晶圓的12吋DRAM廠，投資金額在4億~5億美元，但現(xiàn)在需要8億~9億美元。另外，3D NAND因?yàn)樗欧髋c存儲(chǔ)設(shè)備的需要，SSD商機(jī)穩(wěn)定，價(jià)格也不會(huì)有太大的波動(dòng)。三星由System LSI部門領(lǐng)軍的晶圓代工事業(yè)，因?yàn)榉€(wěn)定掌握高通(Qualcomm)的訂單，預(yù)期2017年也會(huì)是個(gè)豐年。估計(jì)SK海力士2017年?duì)I收為23.3兆韓元，獲利7.8兆韓元，三星半導(dǎo)體則是營收64兆韓元，獲利21.5兆韓元，營業(yè)利益率將超過30%。

　　  三星半導(dǎo)體研究所長鄭恩勝，日前在江原道舉辦的南韓半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)中擔(dān)任主講人，指出以現(xiàn)有的技術(shù)到2030年為止，半導(dǎo)體的線幅還可以持續(xù)的縮小到1.5nm，但DRAM必須找到新的物質(zhì)，如果在化學(xué)材料上難以突破，屆時(shí)到了2021年，DRAM技術(shù)的開發(fā)便會(huì)遭遇撞墻的障礙。目前三星掌握的最新DRAM技術(shù)是18nm制程技術(shù)，而往下走到10nm便已經(jīng)困難重重。

　　  另一方面，鄭恩勝在介紹新技術(shù)時(shí)，特別強(qiáng)調(diào)正在研發(fā)的STT-MRAM技術(shù)，三星將以單晶片的嵌入式設(shè)計(jì)，來實(shí)現(xiàn)新技術(shù)的應(yīng)用。鄭恩勝在會(huì)場展示三星搭載顯示面板上的時(shí)序控制器(time controller)。此外，三星也介紹了整合影像感測器、邏輯IC、DRMA的三合一晶片，未來將會(huì)運(yùn)用于智慧型手機(jī)非常關(guān)鍵的超高速照相功能上。

　　  市調(diào)機(jī)構(gòu)也預(yù)估，2017年全球半導(dǎo)體市場的規(guī)模，將可比2016年成長7.2%，而世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)估計(jì)是保守的3.3%。一般后端設(shè)備的供應(yīng)商認(rèn)為，3D NAND與晶圓代工廠會(huì)是2017年設(shè)備投資主力，估計(jì)設(shè)備市場將可達(dá)434億美元，成長率為9.3%。全球各大市場中，臺(tái)灣以102.2億美元(23.5%)的比重獨(dú)占鰲頭，而南韓也有97.2億美元(22.4%)，屈居第二。但如果加上三星在潔凈室、新廠的投資，南韓可能會(huì)是2017年全球半導(dǎo)體資本支出最大的國家，

　　  日前國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布，2017年三星將投資近100億美元購買半導(dǎo)體設(shè)備，規(guī)?？胺Q全球業(yè)界之最，主要集中于3D NAND、大陸及南韓平澤。然而三星是否會(huì)因?yàn)槔钤陂F入獄，影響到2017年的投資速度?業(yè)界應(yīng)密切注意。