3D Xpoint 的出現(xiàn)，有沒有能力替代 DRAM，并成為 NAND Flash 的終結(jié)者，暫時(shí)還未有答案，但無庸置疑，它將為半導(dǎo)體帶來重大變革和突破。

　　由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存：「磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM)」，與含 3D XPoint 技術(shù)的「相變化內(nèi)存 (PRAM)」及「電阻式動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (RRAM)」。

　　而美廠半導(dǎo)體巨頭英特爾 (Intel)(INTC-US)，更早已與美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 合作，針對含有 3D XPoint 技術(shù)的「相變化內(nèi)存 (PRAM)」高速發(fā)展。

　　當(dāng)英特爾和美光于 2015 年向市場推薦 3D Xpoint 時(shí)，旋即引起市場騷動，市場目光立時(shí)聚焦在這個(gè)新型半導(dǎo)體之上。

　　因?yàn)檫@項(xiàng)新型內(nèi)存無論在讀寫能力和壽命上，都比 NAND Flash 強(qiáng)上 1000 倍! 而且價(jià)格竟然只有 DRAM 的一半，但比 NAND Flash 貴，并為數(shù)據(jù)中心帶來重要的影響。

　　為什么 3D Xpoint 那么吸引人? 無疑是因?yàn)樗?PCIe/NVMe 接口連接的時(shí)候，擁有比 NAND Flash 高 10 倍的性能，且使用時(shí)間會長 1000 倍、速度也將提升 1000 倍。 這也就意味著持續(xù)讀寫次循環(huán)超過 100 萬次，也就意味著，這個(gè)存儲一旦裝上，在不壞的情況下能永久使用。

　　如下圖所示，含有 3D Xpoint 技術(shù)之內(nèi)存，更擁有較低的延遲率，與 NAND Flash 相比，這個(gè)數(shù)據(jù)處理速度是 NAND Flash 的 1000 倍，明顯可以看出，在高速讀取的應(yīng)用中，3D Xpoint 的讀寫速度確實(shí)十分強(qiáng)悍。

　　讀寫的速度優(yōu)勢，使得 3D Xpoint 能夠降低數(shù)據(jù)中心存儲體系的落差 (包括處理器上的 SRAM，DRAM，NAND FLAHS，HHD、磁帶或光盤)，而且還能夠彌補(bǔ)易失性的 DRAM 和非易失性 NAND Flash SSD 之間的差距。

　　3D Xpoint 的出現(xiàn)，甚至更讓市場看到了大數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心的未來。

　　Intel NVM 方案部門主管 James Myers 表示，他們的 3D Xpoint 產(chǎn)品 Optane 能夠用來執(zhí)行有限的數(shù)據(jù)集或者實(shí)時(shí)存儲和升級數(shù)據(jù)。

　　相反地，傳統(tǒng)的 NAND Flash 只能批次地處理存儲數(shù)據(jù)，利用列式數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)分析。 這就需要非常多的讀寫操作。

　　Intel 的首個(gè) 3D Xpoint SSD P4800x 每秒能夠執(zhí)行 550000 次的讀寫操作 (IOPS)，與之對比，Intel 最頂尖的 NAND Flash SSD 的 IOPS 只能達(dá)到 400000。

　　和 DRAM 一樣，3D Xpoint 可以按字節(jié)尋址，這就意味著每一個(gè)存儲單元有一個(gè)不同的位置，這不像分區(qū)的 NAND，在應(yīng)用在為數(shù)據(jù)搜索的時(shí)候，不允許「超車」。

　　Gartner 內(nèi)存研究部門主管 Joseph Unsworth 表示，嚴(yán)格的講，3D Xpoint 既不是 Flash，也不是 DRAM，它是一個(gè)介乎這兩者之間的技術(shù)，而生態(tài)系統(tǒng)的支持對于這項(xiàng)技術(shù)的拓展極為重要。 目前還沒看到任何一個(gè)飛翼式的 DIMM 被裝配，因此這會是一個(gè)很大的挖掘空間。

　　在價(jià)格方面，根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)顯示，現(xiàn)在 DRAM 的售價(jià)基本是每 gigabyte 5 美元，而 NAND 的價(jià)格則是每 gigabyte 0.25 美分。 3D Xpoint 的大批量采購價(jià)格則會在每 gigabyte 2.4 美元這個(gè)區(qū)間。

　　故按此來看，到 2021 年，3D Xpoint 的售價(jià)也會比 NAND Flash 貴許多，但絕對比 DRAM 價(jià)格便宜。

　　3D Xpoint 將挑戰(zhàn) DRAM 市場?

　　Intel 和美光雙方目前都認(rèn)為，3D Xpoint 與 NAND 是能夠互補(bǔ)的，但是市場分析師則認(rèn)為，3D Xpoint 技術(shù)可能將在未來對 DRAM 市場造成挑戰(zhàn)。

　　市場分析師表示，3D Xpoint 的出現(xiàn)主要是彌補(bǔ) NAND 和 DRAM 的差距，但隨著新 3D Xpoint 的普及，SSD 的經(jīng)濟(jì)規(guī)模會增長，故分析師們認(rèn)為它會挑戰(zhàn)現(xiàn)存的存儲技術(shù)，不是指 NAND，而是 DRAM。

　　Gartner 預(yù)測，到 2018 年，3D Xpoint 會在數(shù)據(jù)中心中占領(lǐng)上風(fēng)。 屆時(shí)它會吸引很多關(guān)鍵客戶的目光。 這不僅僅限于服務(wù)器、存儲，超算中心或者云計(jì)算，軟件客戶也是他們的潛在關(guān)注者。

　　Unsworth 認(rèn)為，3D Xpoint 是一個(gè)革命性的技術(shù)，但這個(gè)最終被廣泛采納需要一段時(shí)間，數(shù)據(jù)中心生態(tài)鏈需要一點(diǎn)時(shí)間去接納這個(gè)新存儲技術(shù)，芯片組和第三方應(yīng)用的支持也需要時(shí)間去兼容。

　　而全球最大半導(dǎo)體代工廠臺積電 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日對外說明，臺積電目前已具備「量產(chǎn)」次世代內(nèi)存中，磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM) 及電阻式動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (RRAM) 等新型內(nèi)存之技術(shù)。

　　而據(jù)韓國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，臺、美、韓半導(dǎo)體巨擘在次世代內(nèi)存市場內(nèi)的強(qiáng)力競爭，這很可能將全面改變半導(dǎo)體市場的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。