我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過剩，成為末路黃花?目前還不好說，不管怎么樣，技術總是要向前發(fā)展的。

今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。

現(xiàn)在Intel平臺內(nèi)存規(guī)格

DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢

此前JEDEC固態(tài)技術協(xié)會就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標準的關鍵技術，預計將會在2012年中，DDR4內(nèi)存將會具備更高的性能，并且功耗方面更低。