基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存
不像SRAM,閃存不能通過(guò)簡(jiǎn)單的寫(xiě)入操作進(jìn)行更新。對(duì)閃存設(shè)備的每一次寫(xiě)入操作都需要一個(gè)寫(xiě)指令,包含一組固定的讀寫(xiě)操作序列。閃存在寫(xiě)入前需要先進(jìn)行擦除。所有的閃存設(shè)備都被劃分為一定數(shù)量的可擦模塊,或扇區(qū),二者的差異是可擦區(qū)域的大小,依據(jù)閃存廠商和設(shè)備大小而定。
優(yōu)點(diǎn)
閃存存儲(chǔ)器的主要的優(yōu)點(diǎn)是非易失性?,F(xiàn)代嵌入系統(tǒng)廣泛使用閃存來(lái)存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和設(shè)置值,以及較大的數(shù)據(jù)模塊如音頻或視頻流等。很多嵌入系統(tǒng)使用閃存作為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)的低能耗、高穩(wěn)定性的替代品。
相對(duì)與其它非易失性存儲(chǔ)器,閃存由于下面四種原因更加常用:
健壯性
可擦性
可重復(fù)擦寫(xiě)
成本低
閃存存儲(chǔ)器可以與共享其它閃存設(shè)備共享總線,甚至與其它種類的外部存儲(chǔ)器,如外部SRAM或SDRAM。
缺點(diǎn)
閃存的主要缺點(diǎn)是它的寫(xiě)入速度。由于你只能通過(guò)專用的命令寫(xiě)入閃存設(shè)備,每次閃存寫(xiě)入都需要多個(gè)總線轉(zhuǎn)換操作。更進(jìn)一步說(shuō),一旦送出寫(xiě)入命令,實(shí)際的寫(xiě)入時(shí)間可能達(dá)到幾微秒。依據(jù)時(shí)鐘速度,實(shí)際寫(xiě)入時(shí)間可達(dá)幾百個(gè)時(shí)鐘周期。由于扇區(qū)擦除受到約束,如果你需要改變閃存中的一個(gè)字?jǐn)?shù)據(jù),你必須完成下面步驟:
1. 復(fù)制整個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容到暫時(shí)的緩沖區(qū)
2. 擦除整個(gè)扇區(qū)
3. 改變?cè)诰彌_區(qū)中的單個(gè)字?jǐn)?shù)據(jù)
4. 緩沖區(qū)內(nèi)容寫(xiě)回到閃存
這個(gè)流程導(dǎo)致閃存存儲(chǔ)器設(shè)備的寫(xiě)入速度較慢。由于其糟糕的寫(xiě)入速度,閃存通常只用于存儲(chǔ)必須斷電后保持的數(shù)據(jù)。
最佳應(yīng)用場(chǎng)合
閃存存儲(chǔ)器適用于儲(chǔ)存任何你希望在斷電后保持的數(shù)據(jù)。常見(jiàn)的閃存應(yīng)用與存儲(chǔ)下面項(xiàng)目:
微處理器的啟動(dòng)代碼
微處理器在系統(tǒng)開(kāi)始時(shí)復(fù)制到RAM中的應(yīng)用程序代碼
恒定的系統(tǒng)設(shè)置,例如:網(wǎng)卡MAC地址、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、用戶信息
FPGA參數(shù)圖像
多媒體(音頻、視頻)
不適于應(yīng)用場(chǎng)合
由于閃存存儲(chǔ)器是寫(xiě)入速度較慢,不應(yīng)使用閃存存儲(chǔ)不需要斷電后保持的數(shù)據(jù)。如果可以使用易失性存儲(chǔ)器時(shí)可以選用SRAM。使用閃存存儲(chǔ)器的系統(tǒng)通常也會(huì)同時(shí)使用SRAM。
一個(gè)很不適于閃存的應(yīng)用場(chǎng)合是在微處理器的應(yīng)用程序代碼的直接執(zhí)行。如果這些代碼的可寫(xiě)部分被部署在閃存中,這些軟件根本不會(huì)工作,因?yàn)殚W存不使用專用的寫(xiě)入命令便不能夠?qū)懭搿?yīng)用程序代碼儲(chǔ)存在閃存中的系統(tǒng)通常會(huì)在執(zhí)行之前先將這些應(yīng)用程序復(fù)制到SRAM中。
閃存的種類
閃存設(shè)備有多種,最常用的種類如下:
CFI閃存 – 這是最常用的閃存存儲(chǔ)器種類。它使用并行接口。CFI代表常見(jiàn)閃存接口,這是所有CFI閃存設(shè)備都固有的一種標(biāo)準(zhǔn)。SOPC Builder和Nios II processor都有對(duì)CFI閃存的內(nèi)置支持。
串行閃存 – 這種閃存使用串行接口以節(jié)省Pin腳和板上空間。由于很多串行閃存設(shè)備都有自己專用的接口協(xié)議,最好是先通讀串行閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)表然后進(jìn)行選擇。Altera ECOS配置設(shè)備便是一種串行閃存。
NAND閃存 – NAND閃存是最近才興起的一種新型的閃存存儲(chǔ)器。NAND閃存可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)容量,單個(gè)設(shè)備可高達(dá)數(shù)GB。相對(duì)于CFI閃存,NAND閃存的接口稍有變復(fù)雜。它需要一個(gè)專用的控制器或是智能的低級(jí)驅(qū)動(dòng)軟件。你可以在Altera FPGA中使用NAND閃存,但是Altera不會(huì)提供任何內(nèi)置的支持。
編輯:博子
評(píng)論