全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。

　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 512Gb(64GB)3D NAND 產(chǎn)品以及采用全球首見的 4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技術(shù)的 3D NAND 產(chǎn)品。上述堆疊 96 層的 3D NAND 將利用東芝四日市工廠“第 5 廠房”、“新第 2 廠房”以及預(yù)計 2018 年夏天完成第 1 期工程的“第 6 廠房”進行生產(chǎn)。

　　近日，東芝因出售東芝存儲器與合作伙伴、共同營運 NAND 型快閃存儲器主要據(jù)點“四日市工廠”的 Western Digital(WD)鬧翻，除 28 日狀告西數(shù)求償 1200 億日圓之外，同日宣布將進行增產(chǎn)投資，且表明若 WD 無意合作投資的話也沒關(guān)系，東芝會單獨進行。

　　據(jù)悉，因應(yīng)來自服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的 3D NAND 需求擴大，東芝存儲器預(yù)計在 2017 年度內(nèi)(截至 2018 年 3 月底為止的會計年度)砸下 1800 億日圓進行增產(chǎn)投資，該筆資金除將用于導(dǎo)入“第 6 廠房”第 1 期工程所需的生產(chǎn)設(shè)備之外，也將用于第 2 期工程的廠房興建。

　　“第 6 廠房”第 1 期工程預(yù)計于 2018 年夏天完工，第 2 期工程廠房預(yù)計于 2017 年 9 月動工、2018 年年末完工。至于具體的產(chǎn)能、生產(chǎn)計劃，將于今后視市場動向決定。

　　目前，東芝已量產(chǎn)堆疊 64 層的 3D NAND 產(chǎn)品。與 64 層產(chǎn)品相比，96 層 3D NAND 每單位面積的存儲容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的存儲容量增加，每 bit 成本也下滑。

　　東芝表示，堆疊 16 片 768Gb 芯片，實現(xiàn)業(yè)界最大容量 1.5TB 的 QLC 技術(shù)產(chǎn)品預(yù)計于 2017 年 8 月送樣，且該款 1.5TB 產(chǎn)品將在 8 月 7-10 日期間于美國圣塔克拉拉舉行的“Flash Memory Summit 2017”上進行展示。