市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長(zhǎng)2%，閃存出貨量增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。

　　存儲(chǔ)器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續(xù)向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為11.6%。

　　從2016年第三季度DRAM平均售價(jià)瘋漲開始，DRAM制造商又開始步入加碼投資周期，不過這一輪DRAM廠商投資大部分都花在了升級(jí)技術(shù)方面，并沒有盲目擴(kuò)充產(chǎn)能。

　　IC Insights判斷，2017年閃存廠商絕大部分資本支出都投入在3D NAND工藝技術(shù)上。為提升其位于韓國(guó)平澤市巨型新工廠的產(chǎn)能，2017年三星在NAND閃存上的資本支出將同比大幅上升。

　　從歷史數(shù)據(jù)來看，價(jià)格上漲周期帶來的投資擴(kuò)產(chǎn)沖動(dòng)，通常會(huì)造成產(chǎn)能過剩，產(chǎn)能過剩程度越高，將來價(jià)格下跌也會(huì)越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪、武漢新芯/長(zhǎng)江存儲(chǔ)，以及可能出現(xiàn)的中國(guó)資本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的3D NAND生產(chǎn)計(jì)劃，未來幾年3D NAND閃存產(chǎn)能出現(xiàn)過剩的概率非常高。

　　IC Insights收集的數(shù)據(jù)顯示，DRAM的平均售價(jià)增長(zhǎng)率峰值出現(xiàn)在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，漲勢(shì)都很強(qiáng)勁。該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2017年第三季度DRAM價(jià)格還能維持些許漲勢(shì)，但第四季度將出現(xiàn)微跌，標(biāo)志這輪漲價(jià)周期即將終結(jié)。

　　雖然2017年下半年DRAM漲勢(shì)趨緩，但I(xiàn)C Insights預(yù)計(jì)全年漲幅仍將達(dá)63%，這是自該機(jī)構(gòu)從1993年開始追蹤DRAM市場(chǎng)數(shù)據(jù)以來的最高漲幅，此前記錄是1997年的57%。

　　NAND閃存2017年價(jià)格漲幅也將創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到33%。不過，在2000年，NOR型閃存還主導(dǎo)市場(chǎng)時(shí)，其平均售價(jià)一年漲幅達(dá)到了52%。