1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺
這張照片展示了一堆古董內存。從上到下是:采用三星顆粒的兩根32M 72針DRAM內存,韓國生產。中間是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM內存。最下面是采用英飛凌顆粒的64M PC133 SDRAM內存,葡萄牙生產。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集團的內存品牌。赫克松成立于1989年,是德國英飛凌和日本爾必達的亞太區(qū)總代理,因此采購兩家的DRAM顆粒,到新加坡組裝成內存條,然后銷售到中國大陸,靠價格低廉取勝。不過時至今日,德國英飛凌(奇夢達)和日本爾必達,都已經破產倒閉。只剩下了韓國三星獨霸江湖。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201707/362226.htmDRAM是動態(tài)隨機存儲器的意思,也就是電腦內存。對于今天的消費者來說,電腦內存只是些綠色的小條條,售價不過幾百元。然而這些小玩意,卻走過了長達120年的復雜演進歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象,一個電冰箱大小的計算機存儲器,只能存儲幾K數據,售價卻高達幾萬美元。在中國市場,1994年的時候,一根4M內存售價1400元,相當于兩個月工資。1999年臺灣921大地震,在北京中關村,一根64M SDRAM內存條,價格可以在幾天內,從500元暴漲到1600元。
自1970年,美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來,已經過去47年。DRAM內存芯片市場,累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產值($1000,000,000,000美元)。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進來,卻在輸光光之后黯然離場。無數名震世界的產業(yè)巨頭轟然倒地。就連開創(chuàng)DRAM產業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM,也分別在1986年、1998年和1999年,凄慘地退出了DRAM市場。目前,只有韓國三星和海力士,占據絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風喚雨,賺得盆滿缽滿。
從美國到韓國,這個巨大的轉變,背后隱藏著半個世紀以來,那些不為人知的經濟戰(zhàn)爭,足以載入經濟學教科書。把歐美和中國,那些冒牌經濟學家,極力鼓吹的“自由市場經濟”論調,徹底掃進垃圾堆。
——這是一場真正的經濟戰(zhàn)爭,國與國之間的生死較量,慘烈程度遠超液晶戰(zhàn)爭。
1949年,美國哈佛大學實驗室的王安博士,發(fā)明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。
在敘述這場經濟戰(zhàn)爭前,我們先從總體上,了解一下DRAM內存產業(yè)的脈絡和現狀。
電腦存儲器的發(fā)明者,幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統計學家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表機,采用在卡紙上打孔的方式,記錄統計數據。1890年,美國進行第12次人口普查時,便大量采用這種機器。直到1930年代,IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。
1932年,IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),發(fā)明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器,稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代,磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年,IBM公司購買了中國人王安博士(上海人),擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人員,羅伯特·登納德博士,發(fā)明了半導體晶體管DRAM內存,并在1968年獲得專利。
然后,1970年美國英特爾,依靠批量生產DRAM大獲成功,逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場后,差點將英特爾逼死。1985年美國發(fā)動經濟戰(zhàn)爭,扶植韓國廠商進攻DRAM產業(yè),又將日本廠商逼死。1997年美國發(fā)動亞洲金融風暴,差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經濟后,韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的臺灣人沖進DRAM市場,投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機,逼死了德國廠商,并將臺灣DRAM廠商打翻在地,狠踩兩腳。2017年,不怕死的中國大陸廠商沖了進來,準備投資660億美元,進攻DRAM市場。
有人說,中國人瘋了。
我說沒瘋,因為中國——做為世界第一大電子產品制造國,居然90%以上的內存靠進口,剩下那部分,居然連國產的產量,都控制在韓國企業(yè)手里。
2015年,韓國三星電子投資136億美元(15.6萬億韓元),在韓國京畿道平澤市,建設12寸晶圓DRAM廠(Fab18)。該項目占地2.89平方公里,總產能預計將達到每月45萬片晶圓,其中3D NAND閃存芯片將占據一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產。
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