日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。

　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責策畫，而東芝是在說明上述新廠興建計劃后才進行TMC的招標作業(yè)，因此即便之后TMC易主、預(yù)估新廠興建計劃仍將持續(xù)。

　　報導指出，東芝因TMC出售案一事和合作伙伴Western Digital(WD)鬧翻、對立情勢加劇，因此上述新廠能否如之前一樣和WD分擔投資額仍舊不明，不過因TMC恐難于單獨進行巨額投資，故若無法和WD達成和解的話，恐必須重新思考合作策略、尋找新投資伙伴。

　　東芝3日宣布，關(guān)于目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案，因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協(xié)商破裂，故所需的設(shè)備投資金額將由TMC單獨負擔，且為了因應(yīng)內(nèi)存需求擴大，故投資金額將從原先規(guī)劃的1,800億日圓加碼至約1,950億日圓。 東芝指出，計劃在2018年度將3D架構(gòu)產(chǎn)品的產(chǎn)量比重提高至約90%。

　　路透社、美聯(lián)社等多家外電報導，三星7月4日宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型閃存廠房投入14.4兆韓圜，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6兆韓圜。 位于中國西安的NAND生產(chǎn)基地也會多蓋一條生產(chǎn)線，但投資金額和時間表還未定。

　　內(nèi)存業(yè)者大手筆投資，讓IC Insights憂心忡忡。 該機構(gòu)7月18日稱，內(nèi)存以往市況顯示，過度投資常會造成產(chǎn)能過剩、削弱價格。 未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產(chǎn)能，未來可能還有中國新業(yè)者加入戰(zhàn)場，3D NAND flash產(chǎn)能過多的可能性「非常高」(very high)。