富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數(shù)量級。

FRAM RFID vs EEPROM RFIDFRAM RFID非常適合數(shù)據(jù)存儲型RFID應(yīng)用。

FRAM RFID數(shù)據(jù)寫入時間非?？炖纾詫懭?6bit數(shù)據(jù)為例，采用EEPROM的RFID需要6msec的時間，而采用FRAM的RFID僅需要100usec.

FRAM RFID的數(shù)據(jù)寫入距離接近其讀的距離例如，MB97R803A（TAGAT 7500:On-Metal tag）的數(shù)據(jù)讀/寫距離相差很小。

FRAM RFID能夠抗伽瑪射線輻射美國和歐洲的國家會有很多接觸到醫(yī)療器械的地方，需要經(jīng)過伽瑪放射性消毒，F(xiàn)RAM對輻射有很強(qiáng)的耐受性?；贔RAM的RFID可輕松通過標(biāo)準(zhǔn)醫(yī)療滅菌過程，而基于EEPROM的RFID在這一過程中信息會被破壞。

FRAM RFID產(chǎn)品線

富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出適合各類應(yīng)用的FRAM RFID產(chǎn)品，滿足工業(yè)、醫(yī)療、航空和汽車等多個領(lǐng)域的應(yīng)用。