美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。

　　該全新移動(dòng)解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級(jí)單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù)，可幫助智能手機(jī)制造商通過(guò)人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來(lái)增強(qiáng)用戶(hù)體驗(yàn)。AI 在旗艦級(jí)手機(jī)中的出現(xiàn)推動(dòng)了對(duì)能更快速高效地訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)的更先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案的需求。分析機(jī)構(gòu) Gartner 預(yù)測(cè)，到 2022 年，80% 的智能手機(jī)將具有 AI 功能，這會(huì)增加在本地處理和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)的需求。

　　此外，由于智能手機(jī)已然成為攝影和多媒體共享的首選設(shè)備，存儲(chǔ)容量需求將繼續(xù)顯著增加，目前旗艦級(jí)手機(jī)的容量最高為 256GB，預(yù)計(jì)到 2021 年容量將增長(zhǎng)到 1TB。全新美光 64 層 TLC 3D NAND 存儲(chǔ)解決方案利用針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)滿(mǎn)足了這些需求，在更小的空間內(nèi)提供更多容量的同時(shí)，提供一致的高性能和低延遲。

　　“我們都希望智能手機(jī)提供大膽的新功能，而存儲(chǔ)對(duì)此起到了日益關(guān)鍵的作用?！泵拦饪萍家苿?dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁 Gino Skulick 表示，“美光科技獨(dú)家提供移動(dòng) DRAM 和 3D NAND，并且我們的尖端設(shè)計(jì)將繼續(xù)實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的智能手機(jī)所需要的性能?！?/p>

　　64 層 TLC 3D NAND：助力移動(dòng)領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展

　　該移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品將更多的存儲(chǔ)單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi)，并利用美光陣列下的 CMOS (CuA) 設(shè)計(jì)，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨(dú)有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機(jī)設(shè)計(jì)中的空間。

　　美光第二代 TLC 3D NAND 移動(dòng)技術(shù)具有多項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，包括以下新功能：

　　美光針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)提供一致的高性能和低延遲，能夠增強(qiáng)用戶(hù)體驗(yàn)，同時(shí)通過(guò)使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

　　全新美光 64 層 TLC 3D NAND 產(chǎn)品比上一代 TLC 3D NAND 快 50%。

　　美光 64 層 3D NAND 技術(shù)比上一代 TLC 3D NAND 的存儲(chǔ)密度高一倍，封裝尺卻未變。

　　UFS 2.1 G3-2L 接口規(guī)范為移動(dòng)應(yīng)用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶?nbsp;e.MMC 5.1 高出多達(dá) 200%，同時(shí)還提供同步讀寫(xiě)功能。 這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或?qū)?nbsp;4K 視頻記錄到存儲(chǔ)時(shí)所需的數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)速度奠定了基礎(chǔ)。

　　該新產(chǎn)品基于 32GB 芯片，尺寸為 59.341mm2——是業(yè)界市場(chǎng)上最小的 32GB TLC 3D NAND 芯片。