避免IGBT不良反應的隔離驅動7條經驗
IGBT技術大多應用在大功率電源場合,要在這些場合應用,首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應、過載一類的不良反應。因此在隔離驅動IGBT功率器件的設計上就需要相應的設計技巧。本文將為針對避免不良反應為前提來介紹IGBT功率器件設計的八種技巧。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201808/386382.htm如何避免米勒效應
IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器(單電源驅動器)。門集-電極之間的耦合,在于IGBT關斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通(門集電壓尖峰),這是潛在的危險。
當上半橋的IGBT打開操作,dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容,門極電阻和內部門極驅動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產生。如果這個電壓超過IGBT門極閾值的電壓,可能會導致寄生IGBT道通。
有兩種傳統(tǒng)解決方案。首先是添加門極和發(fā)射極之間的電容。第二個解決方法是使用負門極驅動。第一個解決方案會造成效率損失。第二個解決方案所需的額外費用為負電源電壓。
解決方案是通過縮短門極-發(fā)射極的路徑,通過使用一個額外的晶體管在于門極-發(fā)射極之間。達到一定的閾值后,晶體管將短路門極-發(fā)射極地區(qū)。這種技術被稱為有源米勒鉗位。
故障保護功能有哪些?都是集成在隔離驅動器里嗎?
3種故障保護功能都集成到Avago的高集成柵極驅動器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2電平不足夠時開啟IGBT),DESAT(以保護IGBT過電流或短路),和米勒鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。
對于工作于600V直流母線的30~75A、1200VIGBT而言,ACPL-33x、ACPL-H342這5顆帶miller鉗位保護的柵極驅動光耦能否僅以單電源供電就能實現(xiàn)高可靠性驅動,相比于傳統(tǒng)的正負供電,可靠性是更高,還是有所不足?
AvagoACPL-332J,ACPL-333J以及ACPL-H342的門極驅動光耦可以輸出電流2.5A。這些產品適合驅動1200V,100A類型的IGBT。
1、當使用負電源,就不需要使用米勒箝位,但需花額外費用在負電源上。
2、如果只有單電源可使用,那么設計者可以使用內部內置的有源米勒箝位。
這兩種解決方法一樣可靠。米勒箝引腳在不使用時,需要連接到VEE。
欠壓、缺失飽和如何更好的被避免?
AVAGO門極驅動光耦帶有欠壓閉鎖(UVLO)保護功能。當IGBT故障時,門極驅動光耦供電的電壓可能會低于閾值。有了這個閉鎖保護功能可以確保IGBT繼續(xù)在低電阻狀態(tài)。
智能門極驅動光耦,HCPL-316J和ACPL-33xJ,附帶DESAT檢測功能。當DESAT引腳上的電壓超過約7V的內部參考電壓,而IGBT仍然在運行中,后約5μs,F(xiàn)ault引腳改成邏輯低狀態(tài),以通知MCU/DSP。
在同一時間,那1X小粒晶體管會導通,把IGBT的柵極電平通過RG電阻來放電。由于這種晶體管比實際關斷晶體管更小約50倍,IGBT柵極電壓將被逐步放電導致所謂的軟關機。
光耦的工作環(huán)境溫度范圍
工作環(huán)境溫度范圍可達-40°C至105°C。在工業(yè)應用情況下是足夠的。如果客戶需要更高的工作溫度,R2 Coupler光耦可以運作在擴展溫度達到125°C。
光耦絕緣耐壓
門極驅動光耦有不同的封裝。每個封裝都有其自身的特點-如不同的爬電距離和間隙,以配合不同的應用。不同的爬電距離和間隙對應于不同的工作絕緣電壓,Viorm。最大Viorm從566V至2262V之間。
光耦柵極驅動器最高的輸出電流
根據(jù)選擇的器件型號,Avago的光耦門極驅動器最大輸出電流可以達到0.4A、0.6A、1.0A、1.5A、2.5A、3.0A、4.0A、5.0A。
本文通過7個方面對隔離驅動IGBT功率器件,在電路設計中如何避免短路、米勒效應等IGBT不良反應情況的出現(xiàn)的方法進行了介紹,本文內容較多,對于初級入門的讀者來說可能要進行反復的閱讀,才能理解其中的知識,大家不妨收藏本文,方便隨時閱讀。
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