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          快充技術(shù)對(duì)同步整流的需求

          作者: 時(shí)間:2018-08-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          為什么要應(yīng)用技術(shù)

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201808/386394.htm

          電子技術(shù)的發(fā)展,使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。

          開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成:功率開關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出??旎謴?fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。

          舉例說明,筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A。此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到18%~40%,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約AC/DC變換器提高效率的瓶頸。

          比之于傳統(tǒng)的肖特基整流技術(shù)可以這樣理解:

          這兩種整流管都可以看成一扇電流通過的門,電流只有通過了這扇門才能供負(fù)載使用。

          傳統(tǒng)的整流技術(shù)類似于一扇必須要通過有人大力推才能推開的門,故電流通過這扇門時(shí)每次都要巨大努力,出了一身汗,損耗自然也就不少了。

          技術(shù)有點(diǎn)類似我們通過的較高檔場(chǎng)所的感應(yīng)門了:它看起來是關(guān)著的,但你走到它跟前需要通過的時(shí)候,它就自己開了,根本不用你自己費(fèi)大力去推,所以自然就沒有什么損耗了。

          通過上面這個(gè)類比,我們可以知道,同步整流技術(shù)就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗,從而提高轉(zhuǎn)換效率,降低電源本身發(fā)熱。

          為什么要和同步整流結(jié)合?

          通過上面的描述我們知道,同步整流主要用在低壓大電流輸出的應(yīng)用中。那么現(xiàn)在的充電器一般要到5V/1A到5V/2A,使用快充方案的一般對(duì)5V的輸出要求是2.4A以上甚至3A,如果是多口,那么電流需要更大。以單口5V/3A為例,假設(shè)使用肖特基二極管,在肖特基二極管上的壓降為0.7V/3A,那么以50%占空比計(jì)算,僅僅在肖特基上的消耗就有1.05W,占到輸出功率的7%。而如果使用同步整流結(jié)合MOSFET,假設(shè)MOSFET內(nèi)阻為50毫歐,那么只占到輸出功率的1.5%,大大提高轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)發(fā)熱,利于通過各種測(cè)試。

          隨著以后Type-C技術(shù)的出現(xiàn),對(duì)輸出電流的要求會(huì)越來越大,那么采用同步整流技術(shù),將是未來充電器的一個(gè)主流應(yīng)用。



          關(guān)鍵詞: 快充技術(shù) 同步整流 DCDC

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