10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)。

　　按照公告的說法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領域的先進技術，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內無法達到規(guī)模經(jīng)濟，經(jīng)營壓力加大，資產(chǎn)負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其自身后續(xù)的研發(fā)投入也面臨很大困難。

　　鑒于上述原因，結合公司間接控股股東紫光集團有限公司(以下簡稱“紫光集團”)在存儲器領域的總體戰(zhàn)略布局，為充分發(fā)揮西安紫光國芯在存儲器芯片設計領域的技術、產(chǎn)品、市場方面的優(yōu)勢和價值，增強存儲器方向的協(xié)同作用，同時保障其持續(xù)發(fā)展對資金的需求，公司擬將西安紫光國芯 100%股權以 22，009 萬元人民幣轉讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)。上述股權轉讓完成后，公司將不再持有西安紫光國芯股權。

　　紫光國芯微電子股份有限公司(以下簡稱“本公司”或“公司”)系 2001 年 8 月 17 日經(jīng)河北省人民政府以冀股辦(2001)88 號文批準，由唐山晶源裕豐電子有限公司整體變更而成的股份有限公司。

　　公司屬于電子元器件制造業(yè)，主營業(yè)務為集成電路設計、開發(fā)、銷售與技術服務;高亮度發(fā)光二級管(LED)襯底材料開發(fā)、生產(chǎn)、銷售;生產(chǎn)和銷售壓電石英晶體器件;經(jīng)營本公司自產(chǎn)產(chǎn)品和技術的出口業(yè)務;經(jīng)營本公司生產(chǎn)、科研所需的原輔材料、儀器儀表、機器設備、零配件及技術的進口業(yè)務(國家限定公司經(jīng)營和禁止進出口的商品除外);經(jīng)營進料加工和“三來一補”業(yè)務。

　　公司旗下共有紫光同芯微電子有限公司、深圳市國微電子有限公司、西安紫光國芯半導體有限公司、深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司、 唐山國芯晶源電子有限公司和無錫紫光微電子有限公司等公司。這次出讓的西安紫光國芯半導體有限公司則是公司旗下從事DRAM研發(fā)的企業(yè)。公司主營業(yè)務包括存儲器設計開發(fā)及自有品牌存儲器產(chǎn)品的銷售，并提供相關集成電路的設計、測試服務，目前的主要產(chǎn)品為 DRAM存儲器芯片和模組。

　　公司今年一月在互動平臺上回答投資者問題，針對投資者關于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問回復說：“DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。

　　同時，關于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術處于世界先進水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大?！?/p>

　　至于公司的營收水平，根據(jù)公告顯示，在2017年，紫光國芯收入3.428億人民幣，虧損1200多萬。而在今年前七個月，公司營取得了3.273億元的收入，虧損了接近六百萬。

　　紫光國微的獨立董事表示：“公司將全資子公司西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)100%股權轉讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司的關聯(lián)交易事項，屬于公司對現(xiàn)有業(yè)務的調整，有利于減輕上市公司資金投入壓力，改善財務狀況，提升盈利能力，符合公司發(fā)展戰(zhàn)略;同時，可以保障西安紫光國芯的資金需求，促進其研發(fā)項目的順利推進及業(yè)務的健康發(fā)展。”

　　北京紫光存儲是紫光旗下專門從事存儲業(yè)務的企業(yè)，這次接受了紫光國芯的DRAM業(yè)務，能夠集中精力的開拓國內的存儲業(yè)務。而紫光國微剝離DRAM，也能夠更加專注于安全芯片領域。這樣對雙方都比較有利，能夠避免未來可能存在的競爭，戰(zhàn)略上能統(tǒng)一到一起。

　　紫光集團今年內在持續(xù)加碼存儲業(yè)務。作為本次資產(chǎn)接盤方，紫光存儲去年成立，今年8月份攜旗下8個系列的存儲產(chǎn)品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。當時，紫光存儲CEO任奇?zhèn)ケ硎?，紫光存儲?jīng)過短短一年的發(fā)展，在客戶需求、產(chǎn)品規(guī)劃、研發(fā)、驗證、生產(chǎn)等各個方面逐步完善，并成功推出閃存產(chǎn)品。

　　另外，長江存儲8月公開發(fā)布了全新3D NAND架構XtackingTM。據(jù)介紹，該技術將為3D NAND閃存提高I/O高性能、存儲密度，縮短產(chǎn)品上市周期。目前長江存儲已將該技術應用于到第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)，預計2019年進入量產(chǎn)階段。

　　但我們也應該看到，無論是對紫光存儲還是紫光國芯來說，在DRAM上面的推薦依然嚴峻。

　　和NAND Flash一樣，國內的DRAM之前也近乎一片空白，目前雖然有合肥長鑫、晉華集成和紫光在這方年投入。但可以看到，三星、美光和海力士已經(jīng)占據(jù)了全球96%的DRAM芯片市場份額。在技術方面，也同樣走在前面。

　　資料顯示，以上三家廠商的DRAM已經(jīng)進入了1X時代。但這些工藝已經(jīng)推進非常困難。按照DIGITIMES顧問林育中的說法，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢?很多人持疑。即使可以，也是投資甚巨、所得什微的最后努力。而根據(jù)Pacific Crest Securities的資料顯示，要實現(xiàn)先進技術的DRAM工藝每月10000wafer的產(chǎn)量，需要投入6億美元的成本。而同等工藝的NAND只需要4.5億美元。

　　再考慮到三星、SK海力士和美光有可能依靠DRAM市場的影響力，對國內廠商圍追堵截。再加上技術授權方面的問題，國內的DRAM發(fā)展前景嚴峻。