有消息顯示，芯片市場(chǎng)目前已開(kāi)始喪失部分動(dòng)能，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)的高端閃存芯片的價(jià)格在2017年第四季度下跌了近5%，NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌。

　　2018年內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)居高不下，有報(bào)告顯示，2018年第三季度和第四季度NAND閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格預(yù)計(jì)將下降10%，其主要原因是因?yàn)槭袌?chǎng)需求不足，尤其是智能手機(jī)旺季卻被滯銷(xiāo)，再加上最近英特爾14nm產(chǎn)能不足的消息，導(dǎo)致了PC市場(chǎng)需求雪上加霜。

　　三大存儲(chǔ)器的價(jià)格大幅上漲

　　2017年，存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額為歷年來(lái)最高點(diǎn)，超過(guò)1200億美元，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的30.1%。其主要原因，是DRAM和NAND Flash從2016年下半年起缺貨，從而引發(fā)的漲價(jià)。

　　1、DRAM平均售價(jià)同比上漲77%，銷(xiāo)售總值達(dá)720億美元，同比增長(zhǎng)74%。

　　2、NAND Flash平均售價(jià)同比上漲38%，銷(xiāo)售總額達(dá)498億美元，同比增長(zhǎng)44%。

　　3、NOR Flash銷(xiāo)售總額為43億美元。

　　由此看出，三大存儲(chǔ)器的價(jià)格大幅上漲導(dǎo)致全球存儲(chǔ)器總體市場(chǎng)增長(zhǎng)58%，存儲(chǔ)器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路，成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額占比最高的分支，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。

　　存儲(chǔ)器市場(chǎng)的景氣大幅度攀升

　　受惠于全球智能手機(jī)出貨量的增長(zhǎng)以及電子信息設(shè)備內(nèi)存搭載量的不斷攀升，從2016 年下半年起，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)：DRAM 和 NAND 閃存等，結(jié)束了連續(xù) 18 個(gè)月的低迷景象，無(wú)論是存儲(chǔ)器的出貨量還是銷(xiāo)售價(jià)格，都出現(xiàn)了大幅度的提升。據(jù)多家市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)調(diào)查分析，這一輪存儲(chǔ)器市場(chǎng)的景氣延續(xù)至2017年和2018年上半年。

　　2016 年全球 DRAM 的銷(xiāo)售規(guī)模為454億美元;而Flash的銷(xiāo)售規(guī)模為319億美元，其中NAND Flash為312億美元，NOR Flash僅為7億美元左右。全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模為773億美元，比2015年減少7.3%。初步統(tǒng)計(jì)2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到853億美元，較2016年增長(zhǎng)10.3%。到2021年可望擴(kuò)大至1099億美元，2016～2021年年均增長(zhǎng)率將達(dá)7.3%。

　　與此同時(shí)，存儲(chǔ)器的制造技術(shù)也顯著提升,全球三大 DRAM 廠商的制程技術(shù)從2X nm推進(jìn)到1X nm，3D NAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來(lái)越顯示出它們的應(yīng)用前景。

　　存儲(chǔ)器產(chǎn)能有限，量?jī)r(jià)齊增

　　目前，三星、SK 海力士?jī)纱箜n系廠商在擴(kuò)產(chǎn)腳步上是猛踩油門(mén)，包括三星在韓國(guó)平澤的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線(xiàn)，以及SK海力士的M14生產(chǎn)線(xiàn)，與此同時(shí)，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但產(chǎn)能的增加仍主要依靠?jī)纱箜n系廠商。

　　根據(jù)三家公司目前最新的建廠規(guī)模，2017年全球每季度芯片產(chǎn)能為1100K左右。到2018年，預(yù)計(jì)三星和SK海力士將會(huì)有接近20%左右的產(chǎn)能提升，美光的產(chǎn)能增量為10%，預(yù)計(jì)全球每季度芯片產(chǎn)能為1200K左右。

　　隨著工藝尺寸越來(lái)越小，DRAM良率無(wú)法得到有效控制，導(dǎo)致DRAM產(chǎn)能增速的放緩，與此同時(shí)，EUV光刻設(shè)備年產(chǎn)能極其有限，這些問(wèn)題使得DRAM工藝節(jié)點(diǎn)突破困難重重，各廠商工藝進(jìn)度計(jì)劃也被迫一再推遲。再加上賣(mài)方主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)和新型非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的出現(xiàn)，進(jìn)一步造成了全球范圍內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)技術(shù)升級(jí)和擴(kuò)產(chǎn)意愿下降。

　　總的來(lái)說(shuō)，DRAM擴(kuò)產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國(guó)際大廠的壟斷，2018-2020年全球bit growth將繼續(xù)徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應(yīng)用的市場(chǎng)需求將持續(xù)溫和上升，特別是終端品牌繼續(xù)向國(guó)產(chǎn)品牌集中，造成國(guó)產(chǎn)手機(jī)對(duì)于DRAM產(chǎn)品的需求出現(xiàn)區(qū)域性的增加，同時(shí)5G、云計(jì)算、IDC等將拉動(dòng)服務(wù)器應(yīng)用大幅增長(zhǎng)，隨著5G商用的節(jié)點(diǎn)越來(lái)越近，將帶動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)需求的加速提升。