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          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

          作者: 時(shí)間:2018-11-21 來源:與非網(wǎng) 收藏
          編者按:存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,無論對(duì)于晉華、長江存儲(chǔ)還是長鑫,技術(shù)來源都是首先要解決的問題,無論技術(shù)授權(quán)、合作開發(fā),還是自主研發(fā),只有從技術(shù)源頭掌握關(guān)鍵技術(shù),才能避免被卡脖子。

            近來,關(guān)于福建、臺(tái)灣聯(lián)華電子與美國美光有關(guān)專利侵權(quán)的事件成為產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)。從和美光的三次互訴,到美國商務(wù)部對(duì)禁售和聯(lián)電暫停與晉華的合作,在中美貿(mào)易戰(zhàn)背景下,這不禁讓人聯(lián)想到中興因美國制裁而運(yùn)營停擺的事件。晉華事件走向如何尚不得而知,本文僅從專利與產(chǎn)業(yè)鏈角度,結(jié)合全球市場格局,解構(gòu)我國發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的困難、現(xiàn)狀和潛力。雖然存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,但是我們別無選擇。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201811/394614.htm

            01

            存儲(chǔ)芯片是什么

            存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體元器件中不可或缺的組成部分,幾乎存在于所有的電子設(shè)備中。隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,其在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中扮演的角色越來越重要。

            存儲(chǔ)芯片的種類很多,按用途可分為主存儲(chǔ)芯片和輔助存儲(chǔ)芯片。前者又稱內(nèi)存儲(chǔ)芯片(內(nèi)存),可以與CPU直接交換數(shù)據(jù),速度快、容量小、價(jià)格高。后者為外存儲(chǔ)芯片(外存),指除內(nèi)存及緩存以外的儲(chǔ)存芯片。此類儲(chǔ)存芯片一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù),速度慢、容量大、價(jià)格低。按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失,可分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。易失性存儲(chǔ)芯片常見的有和SRAM,前者就是這次晉華事件的主角。非易失性存儲(chǔ)芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。


          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

            圖1 存儲(chǔ)芯片分類

            相對(duì)于CPU,存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)和制造復(fù)雜度略低。但其技術(shù)含量依然非常高,對(duì)于行業(yè)后來者,絕非一朝一夕可以追趕。以此次晉華事件涉及的芯片為例,主要涉及五大類技術(shù)。

            存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)包括電容器設(shè)計(jì)和電路設(shè)計(jì),是存儲(chǔ)芯片最核心的部分。電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電路負(fù)責(zé)控制數(shù)據(jù)的訪問。常見的電容器有平面型電容器、溝槽型電容器和目前流行的堆疊型電容器。早期的存儲(chǔ)單元電路包含3個(gè)晶體管和一個(gè)電容器(3T1C)構(gòu)成,慢慢演變?yōu)?T1C或1T等多種類型。

            陣列架構(gòu)是存儲(chǔ)單元的矩陣排布形式,芯片通過wordlines和bitlines訪問和控制存儲(chǔ)單元。常見的bitlines包括開放式架構(gòu)、折疊式架構(gòu)等。同時(shí)陣列設(shè)計(jì)上還需要設(shè)計(jì)行、列冗余,以適應(yīng)可能出現(xiàn)的壞點(diǎn)等。

            錯(cuò)誤檢測與修正用以解決存儲(chǔ)單元受環(huán)境、宇宙輻射導(dǎo)致的電位自發(fā)反轉(zhuǎn)問題。通常需要設(shè)計(jì)冗余存儲(chǔ)單元或額外的電路來檢測和修復(fù)這些錯(cuò)誤bits。另外,DRAM存儲(chǔ)芯片還包括芯片安全和芯片制造與封裝技術(shù)。

            02

            專利:集中于韓、日、美企業(yè)

            我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展較晚。目前,以投入NAND Flash市場的長江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的合肥長鑫和致力于普通存儲(chǔ)芯片的福建晉華三大企業(yè)為主。但發(fā)展存儲(chǔ)技術(shù),國際企業(yè)的專利壁壘是繞不過去的坎。

            我們選取2000年1月1日至2018年10月31日的全球存儲(chǔ)專利分析發(fā)現(xiàn),有效專利和專利申請最多的國家/地區(qū)依次是美國、韓國、日本、中國和中國臺(tái)灣,如圖2。從這個(gè)數(shù)據(jù)看,我國(主要指大陸)專利并不弱。2002年就已經(jīng)有大量申請,2010后申請大量增加。

            但是,從申請主體可以發(fā)現(xiàn),如圖3,我國的專利申請主要來自國際和中國臺(tái)灣的企業(yè),如三星電子、旺宏電子、臺(tái)積電、SK海力士、美光科技、英特爾、華邦科技、IBM等。而申請前十的大陸企業(yè)只有中芯國際和兆易創(chuàng)新,且所申請專利多數(shù)是相對(duì)邊緣化的技術(shù),還有部分前沿技術(shù)。


          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

            圖2 存儲(chǔ)芯片專利全球主要申請國家/地區(qū)及其申請趨勢


          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

            圖3 在中國申請專利的主要企業(yè)及其申請趨勢

            從全球企業(yè)的專利申請趨勢看,如圖4,目前以三星、SK海力士、東芝和美光科技四家企業(yè)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢。其中前三家是老牌專利巨頭,美光科技在2008年后申請逐漸增加,趕超東芝和海力士,直追三星。2007年后,旺宏電子、英飛凌、臺(tái)積電和富士通的申請明顯減少,可能來自金融危機(jī)的影響。這也印證了存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向頭部企業(yè)集中的趨勢,特別是韓、美、日三國的四家企業(yè)。


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            圖4 全球存儲(chǔ)芯片專利主要申請企業(yè)及其申請趨勢


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            圖5 高引用存儲(chǔ)芯片專利的主要分布企業(yè)

            如今,我國要發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),不得不面對(duì)來自國際巨頭的專利壁壘,而專利許可可能是相對(duì)高效的一個(gè)選擇。通過前1000件高引用存儲(chǔ)專利分析發(fā)現(xiàn),其技術(shù)方向分布相對(duì)集中,且美國企業(yè)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢,如美光科技、閃迪、AMD、IBM和英特爾。這也導(dǎo)致目前頭部企業(yè)間專利許可成為普遍做法。


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