開關電源調(diào)試常見問題和解決方法大合集
1 變壓器飽和
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201812/395419.htm變壓器飽和現(xiàn)象
在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情況下,通過變壓器(和開關管)的電流呈非線性增長,當出現(xiàn)此現(xiàn)象時,電流的峰值無法預知及控制,可能導致電流過應力和因此而產(chǎn)生的開關管過壓而損壞。
變壓器飽和時的電流波形
容易產(chǎn)生飽和的情況:
1)變壓器感量太大;
2)圈數(shù)太少;
3)變壓器的飽和電流點比IC的最大限流點小;
4)沒有軟啟動。
解決辦法:
1)降低IC的限流點;
2)加強軟啟動,使通過變壓器的電流包絡更緩慢上升。
2 Vds過高
Vds的應力要求:
最惡劣條件(最高輸入電壓,負載最大,環(huán)境溫度最高,電源啟動或短路測試)下,Vds的最大值不應超過額定規(guī)格的90%
Vds降低的辦法:
1)減小平臺電壓:減小變壓器原副邊圈數(shù)比;
2)減小尖峰電壓:
a.減小漏感:
變壓器漏感在開關管開通是存儲能量是產(chǎn)生這個尖峰電壓的主要原因,減小漏感可以減小尖峰電壓。
b.調(diào)整吸收電路:
?、偈褂肨VS管;
?、谑褂幂^慢速的二極管,其本身可以吸收一定的能量(尖峰);
?、鄄迦胱枘犭娮杩梢允沟貌ㄐ胃悠交?,利于減小EMI。
3 IC 溫度過高
原因及解決辦法:
1)內(nèi)部的MOSFET損耗太大:
開關損耗太大,變壓器的寄生電容太大,造成MOSFET的開通、關斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法:增加變壓器繞組的距離,以減小層間電容,如同繞組分多層繞制時,層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣) 。
2)散熱不良:
IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔,應盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫
3)IC周圍空氣溫度太高:
IC應處于空氣流動暢順的地方,應遠離零件溫度太高的零件。
4 空載、輕載不能啟動
現(xiàn)象:
空載、輕載不能啟動,Vcc反復從啟動電壓和關斷電壓來回跳動。
原因:
空載、輕載時,Vcc繞組的感應電壓太低,而進入反復重啟動狀態(tài)。
解決辦法:
增加Vcc繞組圈數(shù),減小Vcc限流電阻,適當加上假負載。如果增加Vcc繞組圈數(shù),減小Vcc限流電阻后,重載時Vcc變得太高,請參照穩(wěn)定Vcc的辦法。
5 啟動后不能加重載
原因及解決辦法:
1)Vcc在重載時過高
重載時,Vcc繞組感應電壓較高,使Vcc過高并達到IC的OVP點時,將觸發(fā)IC的過壓保護,引起無輸出。如果電壓進一步升高,超過IC的承受能力,IC將會損壞。
2)內(nèi)部限流被觸發(fā)
a.限流點太低
重載、容性負載時,如果限流點太低,流過MOSFET的電流被限制而不足,使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻,提高限流點。
b.電流上升斜率太大
上升斜率太大,電流的峰值會更大,容易觸發(fā)內(nèi)部限流保護。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量。
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