中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷
根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出,中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下,加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù),其目的將難以達(dá)成。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201903/398793.htm報(bào)導(dǎo)指出,2018年10月份,在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品,所以在過去在技術(shù)上至少有5年的領(lǐng)先差距。
只是,如果依照計(jì)劃,長(zhǎng)江存儲(chǔ)一旦真的能在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品,相較三星在2019年要量產(chǎn)96層堆疊的產(chǎn)品,并且預(yù)計(jì)在年底開發(fā)出128層堆疊的產(chǎn)品,則三星在NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先長(zhǎng)江存儲(chǔ)就僅剩下一年的時(shí)間,其追趕的進(jìn)度令人驚訝。
由于在NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展,從32層堆疊到64層堆疊,再到96層堆疊,乃至于到目前最新的128層堆疊技術(shù),其每一代的技術(shù)研發(fā)大概需要一年的時(shí)間。如此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)雖然號(hào)稱要在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品,但結(jié)果是在目前半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷,再加上三星與SK海力士?jī)杉夜編缀鯄艛嗍袌?chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)連32層堆疊的NANDFlash快閃存儲(chǔ)器大量量產(chǎn)都有問題的狀況下,更遑論要開發(fā)最新128層堆疊技術(shù)的產(chǎn)品,因此中國(guó)要發(fā)展NANDFlash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)就此受阻。
再談到較NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)更為復(fù)雜的DRAM產(chǎn)業(yè)時(shí),雖然中國(guó)也一直視為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè),不過當(dāng)前中國(guó)在這產(chǎn)業(yè)可說是一團(tuán)混亂。原因是自2018年開始,原本積極布局服務(wù)器DRAM領(lǐng)域的廠商福建晉華,在受到美國(guó)禁售令的影響,目前已經(jīng)逐步退出市場(chǎng)。盡管福建晉華在2011年就已經(jīng)宣布推出32奈米制程的DRAM樣品,只是在美國(guó)積極保護(hù)DRAM知識(shí)產(chǎn)權(quán),而且祭出禁售令的情況之下,福建晉華是不是能夠有機(jī)會(huì)推出這個(gè)規(guī)格的產(chǎn)品,目前還在未定之天。
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