長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起
市場(chǎng)傳出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略,越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷(xiāo)售管道,采取自產(chǎn)自銷(xiāo)3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201905/400262.htm中國(guó)首家NAND Flash制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)腳步逼近,預(yù)計(jì)于2019年底前量產(chǎn) 64層3D NAND,將可能提前于第3季小量試產(chǎn),但長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為第一家本土存儲(chǔ)器制造的指標(biāo)廠商,隨著良率提升表現(xiàn)順利,近來(lái)內(nèi)部逐漸由「金主」主導(dǎo)轉(zhuǎn)變?yōu)椤讣夹g(shù)」團(tuán)隊(duì)出頭的局面。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)2019年邁入64層NAND量產(chǎn),外傳與大股東紫光集團(tuán)爭(zhēng)取銷(xiāo)售主導(dǎo)權(quán)形成角力戰(zhàn)攻防。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年成功研發(fā) 32層3D NAND后,其武漢基地一期專(zhuān)案已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn),第1季的單月產(chǎn)能可達(dá)到5,000片,2019年目標(biāo)將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計(jì)畫(huà)。
據(jù)指出,近8個(gè)月來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)良率已有明顯改善,足以用于消費(fèi)性產(chǎn)品,而業(yè)界對(duì)于搭載本土存儲(chǔ)器芯片更是躍躍欲試,包括日前電商天貓與存儲(chǔ)器模塊廠江波龍宣布策略聯(lián)盟,將率先搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND產(chǎn)品作為銷(xiāo)售。業(yè)界也預(yù)期,在長(zhǎng)江存儲(chǔ)投入量產(chǎn)后,首要價(jià)格沖擊將出現(xiàn)于內(nèi)需市場(chǎng)的消費(fèi)性應(yīng)用。
隨著終端市場(chǎng)期待甚高,長(zhǎng)江存儲(chǔ)與大股東紫光集團(tuán)的合作模式隱約出現(xiàn)轉(zhuǎn)變,原先預(yù)計(jì)由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)生產(chǎn)NAND Flash芯片,并由同集團(tuán)的紫光存儲(chǔ)負(fù)責(zé)銷(xiāo)售NAND與制作成品銷(xiāo)售,包括SSD與UFS等應(yīng)用。
但據(jù)傳,長(zhǎng)江存儲(chǔ)內(nèi)部認(rèn)為,紫光存儲(chǔ)并不適合銷(xiāo)售長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品,特別針對(duì)自行開(kāi)發(fā)Xtacking架構(gòu)64層3D NAND也缺乏深入了解,因而希望爭(zhēng)取奪回自產(chǎn)自銷(xiāo)NAND的主導(dǎo)權(quán),并希望紫光存儲(chǔ)對(duì)外負(fù)責(zé)銷(xiāo)售「非」長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND與系統(tǒng)產(chǎn)品,導(dǎo)致雙方間隙越漸擴(kuò)大。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的前身來(lái)自于紫光國(guó)芯與武漢新芯的合并,武漢市政府本為原始大股東,然而紫光集團(tuán)與大基金共同入股出資,意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)起半導(dǎo)體本土化的重責(zé)大任。
目前紫光集團(tuán)仍持有51%股權(quán)、大基金持股25%、武漢政府持股24%,盡管紫光集團(tuán)仍強(qiáng)勢(shì)布局存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)版圖,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁入64層量產(chǎn)即將蓄勢(shì)待發(fā),業(yè)界地位聲勢(shì)漸起,在配合武漢市政府的積極力挺下,內(nèi)部技術(shù)團(tuán)隊(duì)的影響力漸增,而紫光集團(tuán)作為大金主的主導(dǎo)權(quán)也逐漸黯然褪色,雙方的角力激戰(zhàn)在臺(tái)面下暗潮洶涌。
受到NAND Flash價(jià)格跌勢(shì)猛烈,國(guó)際存儲(chǔ)器大廠相繼采取減產(chǎn)或降低資本支出,除了美光率先宣布2019會(huì)計(jì)年度資本支出削減至90億美元,DRAM與NAND Flash將分別減產(chǎn)5%、SK海力士(SK Hynix)預(yù)計(jì)2019年NAND Flash晶圓投片量將年減10%、威騰(WD)延后 Fab 6新廠的投產(chǎn)計(jì)畫(huà),預(yù)計(jì)晶圓出貨將減少10~15%,未上市的東芝存儲(chǔ)器并未宣布減產(chǎn),但內(nèi)部策略也將減少NAND產(chǎn)出。
不過(guò)目前各家國(guó)際大廠減產(chǎn)多半仍針對(duì)舊制程的64層NAND,而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手,并預(yù)計(jì)2020年下半各家大廠將先后進(jìn)入128層等級(jí)的制程,長(zhǎng)江存儲(chǔ)力圖超車(chē)追趕,預(yù)計(jì)在量產(chǎn)64層NAND后,將直接跳過(guò)96層,直接2020年直接逼近128層堆疊3D NAND,縮短與國(guó)際大廠的技術(shù)差距。
NAND控制芯片廠商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章指出,目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND的樣品已經(jīng)送交至少10家客戶(hù),但下半年對(duì)于整體NAND市場(chǎng)并不會(huì)造成明顯影響,盡管外界仍質(zhì)疑其良率水平不足,初期仍將應(yīng)用于非主流的存儲(chǔ)市場(chǎng),但長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)并沒(méi)有疑慮,待其發(fā)展成熟之際,后勢(shì)成長(zhǎng)將十分可觀。
茍嘉章認(rèn)為,中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)將遲早會(huì)起來(lái),相較于目前DRAM仍有專(zhuān)利疑慮,導(dǎo)致發(fā)展進(jìn)度延遲,但相較之下,官方認(rèn)為NAND產(chǎn)業(yè)更具有戰(zhàn)略性意義,且市場(chǎng)應(yīng)用的發(fā)展性更多元,遲早將會(huì)對(duì)市場(chǎng)占有一席之地。
業(yè)界認(rèn)為,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND導(dǎo)入量產(chǎn),并將在2020年直接挑戰(zhàn)國(guó)際大廠,而規(guī)劃產(chǎn)能可望上看至10萬(wàn)片,在量產(chǎn)初期恐怕仍將面臨良率較低的瓶頸,預(yù)料3D NAND市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)恐怕仍將延續(xù)震蕩至2020年。
評(píng)論