美光高端9300系列的技術(shù)選型與產(chǎn)品定義考慮
不久前,美光科技宣布推出面向云和企業(yè)級市場的高性能美光 9300 系列NVMe SSD(固態(tài)硬盤),助力需要大容量和高性能的應(yīng)用更快地訪問數(shù)據(jù)。其主要特點(diǎn)是:①提供低平均寫入延遲,實(shí)現(xiàn)對數(shù)據(jù)的近實(shí)時(shí)訪問;②該系列SSD 3.5GB每秒的持續(xù)讀寫性能為850,000 讀取和 310,000 寫入輸入/輸出(IOPS),加快了應(yīng)用的響應(yīng)和學(xué)習(xí)速度;③最高容量可達(dá) 15.36TB,最多可創(chuàng)建 32 個(gè)NVMe 命名空間,以滿足企業(yè)不斷增長的存儲需求。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201905/401032.htm美光科技企業(yè)級固態(tài)硬盤高級產(chǎn)品經(jīng)理Cliff Smith和亞太區(qū)解決方案架構(gòu)總監(jiān)See Ghee Tan(陳詩義)解答了電子產(chǎn)品世界等媒體的提問。
1 哪些NAND技術(shù)支撐了此次推出的產(chǎn)品?
主要有三種關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù):3D,TLC和CuA。
在閃存方面,目前已經(jīng)發(fā)展出了 3D NAND 技術(shù)。相比2D,3D就是存儲的空間從單層房子變成了高樓,不同的架構(gòu)可以進(jìn)行疊加。
另外,從 SLC (Single LevelCell), 到 MLC (Multi Level Cell),到 TLC (Triple Level Cell), 再到如今的 QLC (Quad Level Cell) 。這可以想象為從一層只能容納一個(gè)住戶,發(fā)展到一層能容納四個(gè)住戶。或者像往玻璃杯中倒水,假設(shè)往杯子里倒入的是電子媒介,如果是SLC ,就像玻璃杯只有兩種狀態(tài):空和滿;MLC 就會有更多狀態(tài),可以是 0、1/3、1/2、或者1;TLC還可以調(diào)到更精細(xì)的級別,這樣成本會更低。
為了繼續(xù)提升密度,美光又推出了 CuA (CMOS under Array) 架構(gòu)。由于不同的閃存配置需要邏輯電路來控制,可以把邏輯控制電路想象成停車場,以前停車場在房子外面。閃存設(shè)計(jì)變成 3D NAND 以后,美光把CMOS邏輯控制電路放到 NAND 下面,好比把停車場搬到地下。因而產(chǎn)品得以優(yōu)化,在更小的尺寸里做到更大的容量,提升了性價(jià)比。
2 容量、成本和性能的平衡
不同級別的 NAND 的價(jià)格也不 一 樣 , 美光 通 過 不 同的 方 案 , 讓客 戶 選 擇 最適 合 其 需 求的 NAND。從 S L C 到QLC,有降成本的效應(yīng)。例如 QLC 的速度相對較慢,那么就會將它提供給對速度要求沒有那么高的客戶。
除了對 SLC、QLC、TLC 等不同組合的運(yùn)用,美光也通過 CuA架構(gòu),把體積縮小,這也是降低成本的方法之一。
3 SSD的容量和類型選擇
3.1 數(shù)據(jù)中心如何選擇SSD?
當(dāng) MLC 推出的時(shí)候,業(yè)界認(rèn)為 MLC 不可能取代 SLC,但是后來 MLC 取代了 SLC??梢?,通過技術(shù)的不斷演進(jìn),未來出現(xiàn)的技術(shù)會替代之前的技術(shù)。因此,我們怎么去了解客戶的應(yīng)用場景非常重要。
海量的數(shù)據(jù)也分很多不同的層面,有溫?cái)?shù)據(jù)、熱數(shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù),從企業(yè)級產(chǎn)品線來看,一般會推薦客戶在熱數(shù)據(jù)上用 NVMe;如果是冷數(shù)據(jù),通常只有訪問不再寫入,可以存在美光5210 QLC SSD,使操作管理更加簡單。在機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域,機(jī)器學(xué)習(xí)很多時(shí)候是寫一次讀一千次,因?yàn)闄C(jī)器需要不斷地學(xué)習(xí),這也導(dǎo)致 NVMe SSD 需求的增長。
3.2 NVMe 固態(tài)硬盤為何發(fā)展速度快?
在存儲業(yè),新技術(shù)在不斷推出,但老的技術(shù)并沒有完全退出歷史舞臺。一些新的應(yīng)用是 SAS 和SATA 無法支持的,所以市場新增長的部分是 NVMe 比較多,而且增速較快(如圖1)。
但 SAS 和 SATA 并沒有消失,仍然會支持一些傳統(tǒng)的低密度應(yīng)用。因?yàn)閭鹘y(tǒng)低密度應(yīng)用對于NVMe 來說利用率太小了,那種傳統(tǒng)低密度應(yīng)用好比只有一個(gè)單元的房子,而 NVMe 更像是一座城市,所以不會用 NVMe 去解決只需要用SATA 和 SAS 就能解決的傳統(tǒng)應(yīng)用。
(迎九)
本文來源于科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2019年第6期第89頁,歡迎您寫論文時(shí)引用,并注明出處
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