中國每年進(jìn)口價(jià)值1000億美元的存儲(chǔ)芯片，NAND閃存及DRAM內(nèi)存都要依賴進(jìn)口，目前國產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團(tuán)在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲(chǔ)器基地了，不過真正規(guī)模量產(chǎn)還需要一年甚至更長時(shí)間。

目前國內(nèi)也有一些公司研發(fā)了用于特定行業(yè)的閃存芯片，比如兆易創(chuàng)新的NOR閃存，其他還有一些嵌入式閃存。上海華虹半導(dǎo)體今天宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)華虹資料，華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢(shì)，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時(shí)，光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標(biāo)繼續(xù)保持著高水準(zhǔn)，可達(dá)到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。

近年來，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點(diǎn)連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺(tái)，在保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，不斷探求更高性價(jià)比的解決方案。第三代工藝平臺(tái)的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng)，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向300mm延伸，更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司，滿足市場(chǎng)需求。”