如今在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來(lái)，3nm也不遠(yuǎn)了。

臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶(hù)參與進(jìn)來(lái)，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。

目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺(tái)積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。

臺(tái)積電只是說(shuō)，已經(jīng)評(píng)估了3nm工藝所有可能的晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并與客戶(hù)一起得到了非常好的解決方案，具體規(guī)范正在進(jìn)一步開(kāi)發(fā)中，公司有信心滿(mǎn)足大客戶(hù)們的所有要求。

三星此前曾披露，將在3nm工藝上采用基于納米片(nano-sheet)的環(huán)繞式柵極(Gate-All-Around) MBCFET晶體管結(jié)構(gòu)，工藝節(jié)點(diǎn)簡(jiǎn)稱(chēng)3GAAE。

考慮到臺(tái)積電必須在新工藝上保持足夠的競(jìng)爭(zhēng)力，而且強(qiáng)調(diào)過(guò)3nm是全新的，所以必然也會(huì)有新的架構(gòu)、技術(shù)、材料等。

另外，臺(tái)積電5nm工藝使用了14個(gè)EUV極紫外光刻層，3nm上應(yīng)該會(huì)使用更多，但仍可能繼續(xù)保留DUV深紫外光刻技術(shù)，混合使用。

臺(tái)積電此前曾披露，計(jì)劃在2022年就量產(chǎn)3nm工藝。