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          臺(tái)積電CEO:2nm工藝已有先導(dǎo)規(guī)劃

          作者: 時(shí)間:2019-11-06 來(lái)源:SEMI大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

          近日,全球第一大代工廠舉行了公司成立33周年慶典,董事長(zhǎng)、聯(lián)席CEO劉德音談到了的先進(jìn)工藝規(guī)劃,最先進(jìn)的也進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃中,明年則會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201911/406741.htm

          劉德音談到了一年來(lái)的變化,稱公司在“技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造、客戶信任”三個(gè)方面都取得了進(jìn)步,其中7nm工藝N7已經(jīng)獨(dú)步全球兩年,產(chǎn)出了超過(guò)100萬(wàn)片12英寸,首發(fā)EUV工藝的N7+也在今年6月份正式量產(chǎn)。

          再往后就是5nm節(jié)點(diǎn),劉德音表示新竹的Fab 12、臺(tái)南的Fab 18工廠進(jìn)展順利,客戶也十分滿意,2020年就會(huì)量產(chǎn)。

          至于研發(fā)、建設(shè)中的工藝,劉德音表示3nm工藝正在依照計(jì)劃進(jìn)行,而更先進(jìn)的也正式進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃階段,這也是今年6月份宣布研發(fā)2nm之后臺(tái)積電官方再一次明確的進(jìn)展。

          根據(jù)臺(tái)積電之前的規(guī)劃,2nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn),Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。

          預(yù)計(jì)2nm工藝將在2024年完成,正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,不過(guò)具體情況現(xiàn)在還不得而知。



          關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 2nm工藝 晶圓

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