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          南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

          作者: 時(shí)間:2020-01-15 來源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 收藏

          據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級(jí) 技術(shù),將在今年下半年試產(chǎn)! 

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202001/409232.htm

          全球 內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中,他們的份額高達(dá) 95% 以上,關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻,其他公司突圍起來很難。 

          南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán),今年他們將轉(zhuǎn)向自研的 級(jí)內(nèi)存,未來將自產(chǎn) DDR4/LPDDR4/DDR5 等內(nèi)存顆粒。 

          在美光前兩年全資收購(gòu)華亞科之后,南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠,不過份額只有2% 左右,而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán),而且技術(shù)落后較多,在三星、美光、SK 海力士轉(zhuǎn)向 1X、1Y、1Znm 工藝之后,南亞的主力還是 30nm 等,來自美光授權(quán),這兩年才搞定 20nm 內(nèi)存,也是授權(quán)+合作研發(fā)的模式,南亞上次自己搞內(nèi)存研發(fā)還是 99nm 時(shí)代。 

          級(jí)內(nèi)存芯片中,南亞決定自研了,目前 級(jí)前導(dǎo)產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)在今年下半年試產(chǎn),主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未來的 DDR5,都可以由自研的技術(shù)平臺(tái)生產(chǎn)。 

          在解決 10nm 級(jí)內(nèi)存工藝技術(shù)之后,南亞還會(huì)繼續(xù)研發(fā)第二代 10nm 級(jí)工藝,預(yù)計(jì) 2022 年量產(chǎn),還會(huì)開發(fā)第三代 10nm 級(jí)工藝。 



          關(guān)鍵詞: 10nm DRAM

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