ASML研發(fā)下一代EUV光刻機(jī):分辨率提升70% 逼近1nm極限
在EUV光刻機(jī)方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī),去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī),預(yù)計在2022年開始出貨。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202003/410990.htm根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機(jī),預(yù)計2020年交付35臺EUV光刻機(jī),2021年則會達(dá)到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。
目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計,維護(hù)更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。
此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。
不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機(jī)還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。
ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列,NA指標(biāo)達(dá)到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。
與之前的光刻機(jī)相比,新一代光刻機(jī)意味著分辨率提升了70%左右,可以進(jìn)一步提升光刻機(jī)的精度,畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準(zhǔn)了2nm甚至極限的1nm工藝的。
不過新一代EUV光刻機(jī)還有點早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。
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