英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門(mén)。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí),可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù),客戶(hù)可以設(shè)計(jì)尺寸更小的逆變器,從而降低整體系統(tǒng)成本。

它采用62mm標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口,具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性,同時(shí)降低維修成本并減少停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續(xù)工作溫度(T_vjop),帶來(lái)出色的系統(tǒng)可靠性。其對(duì)稱(chēng)的內(nèi)部設(shè)計(jì),使得上下開(kāi)關(guān)有了相同的開(kāi)關(guān)條件。可以選裝“預(yù)處理熱界面材料”(TIM)配置,進(jìn)一步提高模塊的熱性能。

供貨情況

采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC?MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號(hào)可供選擇。它還有專(zhuān)為快速特性評(píng)估(雙脈沖/連續(xù)工作)而設(shè)計(jì)的評(píng)估板可供選擇。為了便于使用,它還提供了可靈活調(diào)整的柵極電壓和柵極電阻。同時(shí),還可作為批量生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)板的參考設(shè)計(jì)使用。