安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),推出一款適用于 太陽能逆變器應(yīng)用 的 全SiC功率模塊 ,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202007/415927.htmNXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
安森美半導(dǎo)體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani說:“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場。安森美半導(dǎo)體開發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統(tǒng)能效的需求,并證實SiC技術(shù)的成熟?!?/p>
臺達光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說:“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案,以打造更美好的明天,我們一直在尋求與可幫助我們實現(xiàn)最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應(yīng)商合作。選用安森美半導(dǎo)體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器,因為它們提供同類最佳的性能,再結(jié)合我們在高能效電力電子領(lǐng)域的獨特專知,使我們的產(chǎn)品能實現(xiàn)高達98.8%的峰值能量轉(zhuǎn)換能效。”
作為安森美半導(dǎo)體不斷增長的基于 寬禁帶(WBG)技術(shù) 的功率集成模塊(PIM)陣容的一員,NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對逆變器設(shè)計進行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件,功率模塊提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而支持使用更高的開關(guān)頻率,有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用,可根據(jù)客戶的喜好,采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本,還有2通道模塊NXH80B120MNQ0,集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
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