三星臺積電生死鏖戰(zhàn),中芯國際如何突圍
全球芯片戰(zhàn)爭已經(jīng)處于白熱化階段,三星和臺積電的鏖戰(zhàn)愈演愈烈。而我們的中芯國際,終于迎來了絕佳的發(fā)展機(jī)會。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202106/426137.htm三星鏖戰(zhàn)臺積電,誰能笑到最后?
在芯片制造領(lǐng)域,三星和臺積電是一對老冤家。如今,三星又有了新的招數(shù)。 有消息稱,三星電子計劃未來十年投資133萬億韓元(約1160億美元),擴(kuò)大其邏輯芯片和芯片代工業(yè)務(wù)。
隨著我國芯片被美國“卡脖子”,越來越多的同胞開始關(guān)注芯片發(fā)展,今天我們就來談?wù)勅菫槭裁匆罅υ谛酒芯亢痛ゎI(lǐng)域挑戰(zhàn)臺積電。
要想了解這些,我們首先要知道臺積電是如何崛起成為芯片制造領(lǐng)域的霸主的。
上世紀(jì)80年代美日半導(dǎo)體之戰(zhàn)時,大多數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)都是將芯片的設(shè)計、制造、封裝、測試作為一個開發(fā)整體也叫IDM模式。
不管是英特爾還是日本的尼康、東芝都是這樣的企業(yè)。所以以前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)準(zhǔn)入門檻極高,要技術(shù)資金雙投入才能制造出一流的企業(yè)。
那個時候?qū)τ谖覈鴣碚f,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈就是一座大山,我國和西方技術(shù)少說也有幾十年的差距。美國開始研發(fā)64KB存儲芯片的時候,我們還在研究1KB。
此時美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域被日本揍的是節(jié)節(jié)敗退,美國專家預(yù)測美國半導(dǎo)體市場份額可能在90年代會從70%跌到30%左右。
這對于一直耀武揚威慣了的美國來說是不可接受的,而且挑戰(zhàn)自己的還是頭號小弟日本。所以美國開始主動干預(yù),首先聯(lián)合全美14家頂尖的半導(dǎo)體領(lǐng)域的公司組成了美國半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟,美國國防研究局砸錢給他們一起搞研發(fā)。
其次美國一系列對日本半導(dǎo)體的制裁接踵而至,先是說日本芯片威脅美國國土安全,后是借著東芝賣蘇聯(lián)機(jī)床開啟了對日本半導(dǎo)體的“血腥清洗”。
第一步讓日本開放市場,第二步征收高額關(guān)稅、第三步逮捕日本企業(yè)高管,第四步簽訂了一系列不平等條約,讓日本無法在消費半導(dǎo)體發(fā)力。這一系列行為看起來是不是特別熟悉?
制裁完之后,美國又開始扶持能制約日本半導(dǎo)體的對手,一個是三星,另一個就是臺積電。三星延續(xù)了IDM模式,目前也是世界最大的IDM公司,而臺積電走向了與之相反的另外一條路。
張忠謀作為臺積電的締造者,決定將芯片設(shè)計和制造拆分出來,臺積電從1987年開始專心從事芯片制造領(lǐng)域,成為了最大的代工公司。這大大降低了芯片產(chǎn)業(yè)的準(zhǔn)入門檻,依托于這種模式,一大堆頂尖的芯片設(shè)計公司出現(xiàn),例如AMD、高通、蘋果、華為海思等。而這種代工模式叫做Fabless模式。
但這里面有個小插曲,其實Fabless這套模式的設(shè)計者是叫曹興誠。比起張忠謀這個年少成名留洋過海,哈佛MBA畢業(yè),25歲坐上德州儀器第三把交椅的大佬來說,曹興誠就是個“弟中弟”。
后來曹興誠成為了聯(lián)華電子的一把手,那時候的曹興誠對張忠謀仰慕已久,所以1984 年給在美國的張忠謀發(fā)了自己策劃的《擴(kuò)大聯(lián)華電子》企劃書,詳細(xì)闡述了自己對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的理解,也提出了“晶圓代工”Fabless概念的雛形??上У氖沁@份計劃發(fā)出后杳無音訊。
第二年,張忠謀從德州儀器請辭離開美國,回到臺灣當(dāng)工研院的院長,也成了曹興誠的老板。次年張忠謀竟然宣布創(chuàng)辦“史上第一間晶圓代工廠”臺積電,建設(shè)方案就是曹興誠自己曾經(jīng)遞給張忠謀的那份企劃書的模型。曹興誠怒發(fā)沖冠,多次公開指責(zé)張忠謀,但是張忠謀一言不發(fā)。
不過曹興誠的怒火沒有平息,反而越燒越旺,帶著自己的聯(lián)華電子也開始進(jìn)軍晶圓代工領(lǐng)域,并扶持起芯片設(shè)計公司聯(lián)發(fā)科。
聯(lián)華電子在曹興誠的領(lǐng)導(dǎo)下發(fā)展迅速,甚至和臺積電硬拼,通過并購和合作占據(jù)代工市場40%的份額,成為僅次于臺積電的芯片代工企業(yè)??上н@種輝煌并沒有持續(xù)很久,原因是臺積電在技術(shù)上得到了重大突破。
臺積電的起點一開始就比聯(lián)華電子高了很多,從創(chuàng)立之初就獲得了英特爾和飛利浦的支持,得到了豐厚的技術(shù)和資金支持。加上以前德州儀器的很多伙伴紛紛加入臺積電,例如蔣尚義和梁孟松讓臺積電在技術(shù)上大放異彩。隨著在銅制程工藝和EUV光刻機(jī)的突破,臺積電迅速崛起,不過這兩項技術(shù)到底有什么特別的?
銅制程工藝的原理,是利用銅導(dǎo)線電阻值小,單位面積可承載較大的電流,可以生產(chǎn)電路更密集的芯片。在此之前芯片都是使用鉛導(dǎo)線,因為銅的抗電子遷移能力比鉛好太多,可以大幅度提高芯片的穩(wěn)定性,所以用銅替代了鉛。
所以銅制程技術(shù)在半導(dǎo)體制程設(shè)備中也十分關(guān)鍵。因為涉及到芯片的薄膜沉積、蝕刻、電化學(xué)電鍍及化學(xué)機(jī)械研磨,要造出納米級別的銅絲,其制造工藝極為復(fù)雜。
不過在此之前,銅制程的技術(shù)專利都掌握在IBM和摩托羅拉公司手中,而IBM一直都是通過技術(shù)讓臺積電成為其附庸,而在2003年臺積電率先開發(fā)出比IBM更成熟更先進(jìn)的銅制程技術(shù),一下擺脫IBM的掣肘。IBM無奈將自己的芯片代工技術(shù)打包送給別人,退出代工市場。
攻克銅制程工藝之后,臺積電的技術(shù)大佬林本堅帶領(lǐng)的技術(shù)團(tuán)隊,開始研發(fā)浸入式光刻技術(shù)。在芯片128nm轉(zhuǎn)64nm的制造過程中,光刻機(jī)巨頭都意識到想要制造更小的芯片,一定要將紫外線光源的波長從193nm減小到157nm,所以日本尼康等企業(yè)斥巨資開始投入研究。但是林本堅覺得如果通過光源成本太高,可以利用液體光刻膠折射,可將紫外線的波長縮小到157nm。
可惜的是林本堅研發(fā)的技術(shù)沒有得到廣泛認(rèn)同,尤其是各個國家都在干式光刻機(jī)投入巨資研究縮小光源的方法,大量的“沉沒成本”最后成了技術(shù)的“面子之爭”。甚至當(dāng)時臺積電的COO蔣尚義讓林本堅“不要攪局”,但此時ASML提出愿意嘗試,僅僅兩年就成功走向輝煌,將尼康打得體無完膚。
新的銅制程技術(shù)和新的光刻機(jī)技術(shù)讓臺積電瞬間大放異彩,2004年就奪下了全球超過一半的代工訂單。反觀聯(lián)發(fā)科并沒有類似的技術(shù)出現(xiàn),而曹興誠本人也陷入了一些麻煩之中。曹興誠為了保住聯(lián)華電子,只能忍痛離開自己注入心血的聯(lián)華電子,也徹底失去了超越臺積電的可能。
相比較聯(lián)華電子的落寞,臺積電此時是意氣風(fēng)發(fā),兩項技術(shù)的出現(xiàn)一下讓臺積電成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的霸主。臺積電沒了對手自然就容易墮落。
那三星又是如何跟臺積電杠上的呢?
三星之前一直在搶奪日本尼康CRAM芯片的市場,CRAM芯片是一種具備儲功能的芯片,原理是利用金屬硫化物具有優(yōu)異量子尺寸效應(yīng),在加不同強(qiáng)度和不同時長的電脈沖,使其在不同程度電流焦耳熱的作用下,分別呈現(xiàn)出不同電阻特性來實現(xiàn)的。
簡單理解就是金屬硫化物在吸收一定的電脈沖的能量發(fā)熱時,會實現(xiàn)多種狀態(tài)的結(jié)晶態(tài)或者非結(jié)晶態(tài)的變化。因為各種狀態(tài)下的電阻不同,所以通過電阻差異,電腦可以分析出儲存的內(nèi)容。
在1997年三星通過反周期投資,賠本賺吆喝迅速搶占了絕大多數(shù)的CRAM芯片市場,成為CRAM的霸主。而此時三星擁有了龐大的資金鏈,加上之前的技術(shù)儲備,開始進(jìn)軍芯片代工領(lǐng)域。因為所有芯片公司都意識到了“晶圓代工”Fabless的優(yōu)勢。
三星通過游說高通和蘋果獲得了第一筆訂單,而此時臺積電的 CEO 蔡力行暫緩了 40 nm 先進(jìn)技術(shù)設(shè)備的采購,同時大幅裁員,內(nèi)部出現(xiàn)動蕩,臺積電的核心成員梁孟松憤怒出走。
反觀三星借此機(jī)會將梁孟松等一眾技術(shù)大佬高薪挖入三星,同時聯(lián)合蘋果 等公司共同研發(fā)出“蜂鳥”手機(jī)芯片。蘋果將其用于初代 iPad 與 iPhone4的制造 ,三星則用于手機(jī),至此三星的芯片代工產(chǎn)業(yè)名聲大噪。
臺積電身陷內(nèi)憂外患之中,退休很久的張忠謀被迫重新掛帥出征,通過回聘曾經(jīng)辭掉的員工,后大力投入研發(fā),勉強(qiáng)穩(wěn)住了局面。因為三星為了自己的手機(jī)市場開始擠壓蘋果的芯片制程,所以蘋果開始選擇別的企業(yè)替代三星。而三星也因為在代工過程中,偷學(xué)別家企業(yè)的專利,用在自家產(chǎn)品身上來搶奪市場,口碑急劇下滑。
而臺積電逆勢而生,建立新的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊“夜鶯部隊”三班倒進(jìn)行研發(fā)工作,重新?lián)寠Z訂單,在14nm芯片制程中擊敗三星,獲得大量訂單,又在7nm、5nm制程率先取得優(yōu)勢,現(xiàn)在在3nm發(fā)力。
這種情況下,三星自然也是不甘落后,于是就有了三星電子133萬億韓元的芯片代工升級計劃,相當(dāng)于是繼續(xù)向臺積電宣戰(zhàn)。就在這兩家打得熱火朝天時,我們的中芯國際可以說是迎來了發(fā)展良機(jī)。
中芯國際能否逆勢崛起?
中芯國際作為中國大陸最大的晶圓代工廠,也是世界頂尖的芯片制造商,世界排名第五,背靠中國龐大的市場和資金支持,可以說得天獨厚。但是目前中芯國際剛剛達(dá)到14nm芯片制程工藝,綜合來看比起臺積電和三星還有不小的差距。另外,中芯國際和臺積電也有不少糾葛。
1977年中芯國際的創(chuàng)始人張汝京入職德州儀器,成為張忠謀的下屬。兩人一直在德州儀器共事了近十年,私人關(guān)系極好。
但是張忠謀回到臺灣創(chuàng)辦了臺積電以后,發(fā)展得越來越好,張汝京也心動了,在1997年辭去德州儀器的工作,創(chuàng)辦了“世大半導(dǎo)體”。在德州儀器一群老友的支持下,世大發(fā)展迅速。但即將騰飛的世大引起了張忠謀的注意,以50億美元強(qiáng)行收購世大。而張汝京對于收購一事,一開始一無所知,事后極為窩火對張忠謀充滿怨恨。
張汝京氣不過全家移居上海并在開曼群島注冊了中芯國際,通過挖張忠謀的墻角,獲得了大量技術(shù)和人才,并在大陸建廠,促使中芯國際快速發(fā)展。
隨著中芯國際的發(fā)展,專利成為了最要命的問題。臺積電發(fā)起了對中芯國際的訴訟,第一次訴訟從2002年一直折騰到2005年。最終中芯國際和臺積電達(dá)成庭外和解。
但2006年臺積電又開始了對中芯國際的第二次訴訟,原因是中芯國際未經(jīng)允許使用了臺積電90nm技術(shù),這次官司又是三年,最后還是以庭外和解告終。但這次中芯國際要在4年內(nèi)支付2億美元現(xiàn)金給臺積電,臺積電將持有中芯國際10%股份,而且張汝京必須離職。
一系列的打擊導(dǎo)致中芯國際險些分崩離析,技術(shù)差距越拉越大。但是隨著我國對芯片領(lǐng)域的需求越來越大,中芯國際的重要性也開始日益凸顯,2014年中芯國際和長電科技合作,并獲得300億人民幣的基金投資。
2015年中芯國際成為中國大陸第一家實現(xiàn)28納米芯片制程的企業(yè);2016年原臺積電的大佬蔣尚義加入中芯國際;2017年梁孟松結(jié)束和三星的工作契約后加入中芯國際領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作;2019中芯國際就28nm、14nm、12nm等芯片已進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段,新一代的7nm芯片技術(shù)的開發(fā)也已經(jīng)完成。
可以說,中芯國際的發(fā)展態(tài)勢越來越好,但卻引起了美國的注意。2020年12月18日,中芯國際被美國列入實體清單,一系列先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備都無法采購,這對于中芯無異于致命打擊。此外,美國還對中國很多企業(yè)實施制裁,讓中國高端半導(dǎo)體行業(yè)陷入困境。
但令美國有沒有想到的是,全球芯片短缺危機(jī)居然在2021年爆發(fā)了,就連美國自己也沒有躲過這一波。因此美國放松了對芯片制造設(shè)備的管控。中芯國際很有可能迎來絕佳的發(fā)展機(jī)會。
需要注意的是,在不依賴美國技術(shù)的前提下,我國的芯片制程工藝能力只能在90nm左右。但是先進(jìn)技術(shù)是買不來的,所以必須還是需要自研。
所以從某種程度上來說,我們應(yīng)該“感謝”美國,因為美國讓我們知道了我們在精密加工和制造領(lǐng)域和對手的差距,尤其是芯片領(lǐng)域的差距,從而促進(jìn)我們更加大力發(fā)展。
看到差距才能進(jìn)步,而且我們也不需要妄自菲薄。雖然先進(jìn)工藝存在差距,但我們是全世界唯一一個能獨立制造芯片的國家,在任何工藝都不依賴國外技術(shù)的情況下,我們可以制造出90nm的芯片,這一點美國、日本、韓國都做不到。
因為龐大的市場需求,2020年一年中國就進(jìn)口了3800億美元的芯片,激增了約14%。龐大的市場需求必然會促使企業(yè)加速研發(fā)。
隨著摩爾定律發(fā)展到極致,硅基芯片研究速度放緩,目前全世界只有臺積電、三星、英特爾、中芯國際沒有放棄7nm以下的芯片制程研究工作。
目前國家在“十四五”規(guī)劃建議提出,深入推進(jìn)科技體制改革,完善國家科技治理體系,優(yōu)化國家科技規(guī)劃體系和運行機(jī)制,其中就包括加大研發(fā)投入,健全政府投入為主、社會多渠道投入機(jī)制,加大對基礎(chǔ)前沿研究的支持。戒驕戒躁,徐徐圖之,實現(xiàn)科技強(qiáng)國的夢想其實并不遙遠(yuǎn)。
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