0   引言

近幾年，超結（Super Junction）結構高壓功率MOSFET由于具有非常低的導通電阻(RDSON) 和開關損耗，在各種電源系統(tǒng)中獲得越來越多的應用。超結結構通過降低內(nèi)部晶胞單元的尺寸，采用非常高的單元密度，大幅降低了導通電阻和硅片面積，節(jié)省成本。硅片面積的降低也會導致器件的各種寄生電容降低，器件開關速度更快，開關損耗減小，進一步提高系統(tǒng)的效率。

但是，器件過低的寄生電容導致開關速度過快，開關過程中產(chǎn)生過大的dV/dt 和di/dt，這會帶來EMI設計的問題及柵極振蕩。因此，對于超結結構高壓MOSFET，需要優(yōu)化系統(tǒng)及驅動電路，從而在效率和EMI 之間達到設計的平衡，滿足系統(tǒng)的要求。^[1-4]

作者簡介：劉松，男，武漢人，碩士，現(xiàn)任職于萬國半導體元件有限公司應用中心總監(jiān)，主要從事開關電源系統(tǒng)、電力電子系統(tǒng)和模擬電路的應用研究和開發(fā)工作。獲廣東省科技進步二等獎一項，發(fā)表技術論文60多篇。songliu@aosmd.com。

1   超結結構高壓功率MOSFET的開關特性

在開關過程中，平面功率MOSFET 的dV/dt、di/dt完全由柵極驅動控制，通過調(diào)整外部的柵極電阻就可以控制系統(tǒng)的dV/dt 和di/dt。，但是，超結結構功率MOSFET 柵極電荷、Coss 和Crss 的非線性特性增加，在高壓下電容變得非常小，在低壓時電容又變得非常大，如果使用柵極電阻值取值范圍小，柵極驅動電路的柵極電阻參數(shù)不能有效控制其開關特性，如VDS 電壓的變化率主要受輸出電容Coss 和負載電流控制。

如果超結功率MOSFET 想用RG 控制關斷的dV/dt，RG 必須增加到非常大的值，這又會導致開關速度非常慢，增加開關損耗和延時開關。圖1 展示了功率MOSFET柵極驅動電阻值非常小的工作波形，從波形可以看到，關斷的VDS 和ID 波形的交錯區(qū)域非常小，類似于零電壓開關ZVS 的關斷模式，因此關斷損耗非常小，在硬開關電源結構中，可以提高系統(tǒng)的效率。

圖1 功率MOSFET的工作波形

2   驅動參數(shù)的影響

驅動電路設計的關鍵的控制參數(shù)有：外部串聯(lián)的柵極電阻RG，外部并聯(lián)的柵極漏極電容Cgd，以及外部并聯(lián)的漏極源極電容Cds。

超結結構功率MOSFET的柵極驅動電阻值較小時，dV/dt 主要受輸出電容Coss 和最大負載電流的限制；隨著負載電流的上升，di/dt 以非?？斓乃俣壬仙?，在大負載電流時，主要受外部寄生電感和外部應用電路的限制。當柵極驅動電阻增加到較大值，di/dt 開始部分受到驅動電路的限制，dV/dt 情況也基本相同。

如果增大CGD 的值，也就是G、D 外加并聯(lián)電容，就可以使用較小的RG，以控制關斷的dV/dt，這是一個比較優(yōu)化的方法。當然，也可以使用增大CDS 的值，D、S 外加并聯(lián)電容的方法來控制關斷dV/dt，其缺點是會增加開通電流尖峰和di/dt。

如果功率MOSFET 流過的負載電流變化范圍大，不外加元件，在關斷過程中，dV/dt 和di/dt 也會在很大范圍內(nèi)變動，給系統(tǒng)的EMI 和器件可靠性帶來問題。

超結結構功率MOSFET 通常需要外加一些元件和柵極電阻相配合，控制器件的開關速度，保持柵極驅動電路對器件關斷過程的相關參數(shù)可控或部分可控，從而保證器件在極端條件下在可靠工作區(qū)工作，或滿足EMI 要求。

柵極電阻低，開關速度更快，開關損耗更低，但會增加開關過程中功率MOSFET 的寄生電感和寄生電容所產(chǎn)生的VDS 尖峰電壓，加劇柵極振蕩，同時增加開通和關斷過程中電壓和電流上升的斜率dV/dt 和di/dt。反之，增加柵極電阻，會增加開關過程中的開通損耗和關斷損耗，減小VDS 的尖峰電壓，減小柵極振蕩，同時降低在開通和關斷過程中電壓和電流上升的斜率dV/dt 和di/dt。

(a)外部柵極關斷電阻對關斷特性的影響

(b)外部并聯(lián)柵極源極電容對關斷特性的影響

(c)外部并聯(lián)漏極源極電容對關斷特性的影響

圖3 不同外部參數(shù)對MOSFET關斷特性的影響

3   驅動電路的設計及EMI影響

功率MOSFET 通常由PWM 或其他模式的控制器IC 內(nèi)部驅動源來驅動，為了提高關斷速度，實現(xiàn)快速關斷，降低關斷損耗，提高系統(tǒng)效率，通常要盡可能降低柵極驅動電阻。由于控制器IC 和功率MOSFET 柵極通常在PCB 上有一定距離，因此，在PCB 上會有一段引線，這條引線越長，引線電感越大，儲存的能量越大，關斷過程中容易導致柵極振蕩，不僅會產(chǎn)生EMI 問題，還有可能在關斷過程中關斷并不完全，導致其誤開通而損壞；同時，如果過高的振零尖峰大于VGS 最大額定值，也可能損壞柵極。因此，在很多AC-DC 電源、手機充電器以及適配器的驅動電路設計中，通常使用圖4 的驅動電路，使用合適的開通和關斷電阻，并使用柵極下拉PNP 管，以減小柵極和源極回路的引線電感。

圖4 的驅動電路常用于驅動平面結構高壓功率MOSFET，可以在各種性能之間取得非常好的平衡。但是，由于超結結構功率MOSFET 開關速度非?？欤m然使用這樣的驅動電路效率更高，但是，會產(chǎn)生較大的dV/dt 和di/dt，從而對EMI 產(chǎn)生影響。采用AOD600A70R，其中，R1=150 Ω，R2=10 Ω，R3=10 kΩ，分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz，輸出11 V/4 A，44 W條件下測量關斷波形，如圖4 所示。

(a)常用柵極驅動電路

(b)關斷波形，120 V & 60 Hz

(c)關斷波形，264 V & 50 Hz

圖4 常用柵極驅動電路及關斷波形

由于具有足夠的空間，電視機的板上AC-DC 電源、電腦適配器等可以在實現(xiàn)快開關速度的同時，通過電路系統(tǒng)中的各路濾波器實現(xiàn)EMI 性能。而手機快速充電器內(nèi)部空間極其有限，因此，無法通過周圍濾波器保證EMI 性能。這種情況就需要優(yōu)化驅動電路來改善系統(tǒng)性能。當然，對于AC-DC 電源、電腦適配器，優(yōu)化驅動電路同樣可以提高EMI 性能。^[5]

超結結構功率MOSFET 的Coss 和Crss 強烈的非線性特性導致快速開關特性，可以通過外部柵極- 漏極、漏極- 源極并聯(lián)電容來改善其非線性特性。在基于圖5的驅動電路中，外部并聯(lián)柵極- 漏極電容為11 pF，然后測量關斷波形。從圖5 的波形可以看到，外部并聯(lián)柵極- 漏極電容可以降低di/dt，但是對dV/dt 的影響很小。從EMI 的測量結果來看，無法達到系統(tǒng)要求。為了提高系統(tǒng)安全性，圖中柵極- 漏極電容采用2 顆高壓陶瓷電容串聯(lián)，C1=C2=22 pF。

(a)外部并聯(lián)柵極-漏極電容驅動電路

(b)關斷波形，120 V & 60 Hz

(c)關斷波形，264 V & 50 Hz

圖5 外部并聯(lián)柵極-漏極電容驅動電路及關斷波形

圖5 的結果表明；柵極驅動速度仍然非?？欤瑸榱藢崿F(xiàn)開關速度、開關損耗和EMI 結果的平衡，去掉柵極二極管和下拉PNP 管，為了能夠控制關斷dV/dt，漏極- 源極需要并聯(lián)外部電容，如圖6 所示。圖6 的電路中加了1 個二極管，這樣關斷和開通可以使用不同的柵極電阻值，方便系統(tǒng)設計和調(diào)試優(yōu)化；C1=C2=22 pF，C2=47 pF，R1=R2= 5.1 Ω，關斷波形如圖6 所示。

(a)優(yōu)化EMI的柵極驅動電路

(b)關斷波形，120 V & 60 Hz

(c) 關斷波形，264 V & 50 Hz

圖6 優(yōu)化的柵極驅動電路及關斷波形

分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz，輸出11 V/4 A、44 W 條件下，使用圖4 的驅動電路，測量相關輻射。測量結果如圖7 所示，其結果或者超標，或者達不到系統(tǒng)的裕量要求。

(a)120 V & 60 Hz，水平

(b)120 V & 60 Hz，垂直

(c)264 V & 50 Hz，水平

(d)264 V & 50 Hz，垂直

圖7 使用圖4驅動電路的EMI測試結果

分別在輸入120 V & 60 Hz、264 V & 50 Hz，輸出11 V/4 A、44 W 條件下，使用圖6 的驅動電路，測量相關的輻射，測量結果如圖8 所示，這些結果都達到了系統(tǒng)裕量的要求。

(a)120 V&60 Hz，水平

(b)120 V & 60 Hz，垂直

(c)264 V & 50 Hz，水平

(d)264 V & 50 Hz，垂直

圖8 使用圖6驅動電路的EMI測試結果

4   結束語

超結結構功率MOSFET 的Coss 和Crss 電容更強烈的非線性導致更快的開關速度，產(chǎn)生EMI 的設計問題。去除常用的柵極下拉快速關斷三極管，增加外部電容，超結結構功率MOSFET 的開關特性可以較好實現(xiàn)開關速度、開關損耗和EMI 的平衡。

參考文獻：

[1] 劉業(yè)瑞,劉松.超結結構的功率MOSFET輸出電容特性[J].電子產(chǎn)品世界,2020(8):82-84.

[2] 劉業(yè)瑞,劉松.功率MOSFET輸出電容的非線性特性[J].電子產(chǎn)品世界,2020(10):70-71.

[3] 劉松.再談米勒平臺和線性區(qū):為什么傳統(tǒng)計算公式對超結MOSFET開關損耗無效[J].今日電子,2018(5):38-40.

[4] 劉松.超結型高壓功率MOSFET結構工作原理[J].今日電子,2013(11):30-31.

[5] 劉松,孫國營.快充次級同步整流MOSFET對EMI輻射干擾的影響[J].今日電子,2017(8) :32-33.

（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2021年6月期）