TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20%、通訊及數(shù)據(jù)中心15%。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，截至目前已有10家手機(jī)OEM廠商陸續(xù)推出18款以上搭載快充的手機(jī)，且筆電廠商也有意跟進(jìn)。

而全球SiC功率市場規(guī)模至2025年將達(dá)33.9億美元，年復(fù)合成長率達(dá)38%，其中前三大應(yīng)用占比將分別為新能源車61%、光伏及儲能13%、充電樁9%，新能源車產(chǎn)業(yè)中又以主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應(yīng)用大宗。

關(guān)鍵襯底多數(shù)仍由歐美日IDM大廠掌握

TrendForce集邦咨詢指出，因第三代半導(dǎo)體GaN及SiC襯底(Substrate)材料生長條件相對困難，以及現(xiàn)行主流尺寸大致落于6英寸并往8英寸方向邁進(jìn)，驅(qū)使價格相較傳統(tǒng)8英寸、12英寸Si襯底高出5~20倍不等。由于多數(shù)材料仍集中于美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中;部分中國大陸廠商如山東天岳(SICC)及天科合達(dá)(Tankeblue)等在政策支撐下相繼投入，以期加速國產(chǎn)化自給自足目標(biāo)。