全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布，推出兩款全新雙極化毫米波器件——F5288和F5268 IC，以拓展其5G波束成形器IC產(chǎn)品家族。新產(chǎn)品面向5G和寬帶無線應用2 x 2天線架構進行優(yōu)化，在n257、n258和n261頻段打造卓越性能。高度集成的F5288和F5268發(fā)射器/接收器（8T8R）芯片組采用5.1mm x 5.1mm BGA小尺寸封裝，具備業(yè)界超高的硅基Tx輸出功率——每通道提供超過15.5dBm的線性輸出功率（注1）。通過這一組合，瑞薩方案實現(xiàn)極具成本效益的無線電設計，為廣域網(wǎng)、小型基站和宏基站，以及CPE、固定無線接入（FWA）節(jié)點，和各類其它應用的無線基礎設施擴展了信號覆蓋范圍。

全新F5288和F5268 IC采用獨特的動態(tài)陣列功率（DAP）技術，可在10至16dBm的可編程線性輸出功率范圍內(nèi)高效運行，使得第三代IC更容易滿足移動和固定無線應用場景中對多種輸出功率等級的要求。這種靈活性讓通信領域的客戶能夠在不同應用中只需微調(diào)其天線陣列設計即可使用，從而節(jié)省設計時間。

瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru表示：“無論在城市還是鄉(xiāng)村，移動與固定無線網(wǎng)絡正在向5G毫米波技術轉變。因此，獲得足夠的信號覆蓋范圍，或者說解決當下信號覆蓋不足仍然是最大的挑戰(zhàn)。瑞薩全新波束成形器IC改變了這一不斷發(fā)展的市場游戲規(guī)則，可提供具備高輸出功率的小型集成波束成形解決方案，使得通信領域的客戶能夠為廣域無線應用實現(xiàn)經(jīng)濟高效的基站和FWA設計。”

關于F5288和F5268 5G毫米波波束成形IC

瑞薩第三代毫米波波束成形器IC滿足5G系統(tǒng)所需的所有波束成形功能，同時達成基于硅基技術的高效超高線性的射頻輸出功率性能。

全新產(chǎn)品雙極化8通道架構提供高度對稱和超低損耗的天線路由網(wǎng)絡，可提升整體天線效率并節(jié)省電路板成本。裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。此外，瑞薩設計的封裝引腳簡化了電路板設計，降低了設計難度和風險。較低復雜度的PCB設計會采用盡可能少的板層數(shù)，這不但可以節(jié)省電路板成本，也可加快產(chǎn)品上市速度。

F5288和F5268 IC還采用瑞薩多項前沿技術以增強陣列性能。動態(tài)陣列功率技術可從容高效地呈現(xiàn)不同級別的輸出功率。ArraySense技術具有全面的片上傳感器網(wǎng)絡，能夠讓用戶在陣列工作時監(jiān)測IC性能，并能實時做出關鍵修正。RapidBeam先進的數(shù)字控制技術可以同時針對多個波束成形器IC進行同步和異步控制，實現(xiàn)超快速波束控制操作。

產(chǎn)品其它特性包括

●   支持26.5-29.5GHz（F5288）和24.25-27.5GHz（F5268）頻段

●   先進的溫度補償技術，大幅降低因溫度變化而導致的RF性能惡化影響

●   前沿相位與增益控制技術，包括具有真正6位分辨率的360°相位控制范圍和最大31.5dB, 步進0.5dB精度的增益控制

●   優(yōu)化的Rx線性度模式，為接收機鏈路帶來額外靈活性

●   室溫下的Rx噪聲系數(shù)低至4.5dB，在高達95oC的溫度下低于5.5dB

為進一步簡化系統(tǒng)設計，客戶可充分利用瑞薩新型基站天線前端成功產(chǎn)品組合，其采用新型F5288和F5268波束形成器IC，以及瑞薩F5728上/下變頻器、8V97003寬帶毫米波合成器，和各種PMIC器件。瑞薩現(xiàn)已推出超過250款基于互補的模擬、電源、時鐘和嵌入式處理產(chǎn)品的組合方案，適用于各種應用和終端產(chǎn)品，旨在幫助客戶面向不同應用構建易于使用的架構，簡化設計過程，并顯著降低設計風險。

供貨信息

F5288和F5268波束成形器IC現(xiàn)已上市。

(注1）線性輸出功率定義為：采用具有120kHz子載波間隔和11.7dB PAR的400MHz 5GNR CP-OFDM波形，在EVM<3%時的水平。