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          東芝新型IC芯片再創(chuàng)佳績,可大幅提升可穿戴設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力

          —— 小型、超低靜態(tài)電流[1]負(fù)載開關(guān)IC使顯著性能提升
          作者: 時間:2022-01-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出TCK12xBG系列負(fù)載開關(guān)IC,可支持極低的靜態(tài)電流[1]以及1A的額定輸出電流。該系列IC采用緊湊型WCSP4G封裝,可支持產(chǎn)品開發(fā)人員設(shè)計創(chuàng)新功耗更低、電池續(xù)航能力更強的新一代可穿戴設(shè)備與IOT設(shè)備。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202201/430907.htm

          TCK12xBG系列采用新型驅(qū)動電路,具有0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流。與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TCK107AG相比,新系列產(chǎn)品的靜態(tài)電流降低大約99.9%,實現(xiàn)了極大的能效提升,因此由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和IOT設(shè)備的運行時間將得到顯著提升。

          image.png

          WCSP4G是專為該產(chǎn)品開發(fā)的一種新型封裝,比TCK107AG小34%左右,僅為0.645mm×0.645mm,便于小型電路板安裝。器件特有的背面涂層設(shè)計用于支持便捷安裝,即便是如此微小的芯片也無需擔(dān)心在安裝過程中造成芯片損傷。

          東芝計劃推出三款該系列IC:高電平有效時啟動自動放電的TCK127BG;高電平有效時不啟動自動放電的TCK126BG;以及低電平有效時啟動自動放電的TCK128BG。該系列器件為產(chǎn)品開發(fā)人員和設(shè)計人員提供了根據(jù)設(shè)計要求自由選擇最佳負(fù)載開關(guān)IC的可能。

          東芝將持續(xù)不斷地改進低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品,推進設(shè)備小型化和降低功耗,并為可持續(xù)發(fā)展的未來做出貢獻。

          ■   應(yīng)用:

          -   可穿戴設(shè)備、IOT設(shè)備、智能手機(傳感器電源開關(guān)等)

          -   替代由MOSFET、晶體管等分立半導(dǎo)體器件構(gòu)成的負(fù)載開關(guān)電路

          ■   特性:

          -   超低靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài)):IQ=0.08nA(典型值)

          -   低待機電流(關(guān)斷狀態(tài)):IQ(OFF)+ISD(OFF)=13nA(典型值)

          -   緊湊型WCSP4G封裝:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度:0.465mm(最大值)

          -   背面涂層可減少電路板安裝過程中的損傷

          ■   主要規(guī)格:

          (除非另有說明,@Ta=25℃)

          器件型號

          TCK126BG

          TCK127BG

          TCK128BG

          封裝

          名稱

          WCSP4G

          尺寸典型值(mm)

          0.645×0.645

          厚度:0.465(最大值)

          絕對最大額定值

          輸入電壓VIN(V)

          -0.3~6.0

          控制電壓VCT(V)

          -0.3~6.0

          輸出電流IOUT(A)

          直流

          1.0

          脈沖

          2.0

          功耗PD(W)

          1.0

          工作范圍

          (@Ta_opr=

          -40℃至85℃)

          輸入電壓VIN(V)

          1.0~5.5

          輸出電流IOUT最大值(A)

          1.0

          電氣特性

          靜態(tài)電流(導(dǎo)通狀態(tài))

          IQ典型值(nA)

          @VIN=5.5V

          0.08

          待機電流(關(guān)斷狀態(tài))

          IQ(OFF)+ISD(OFF)

          典型值(nA)

          @VIN=5.5V

          13

          導(dǎo)通電阻RON典型值(mΩ)

          @VIN=5.0V,

          IOUT=-0.5A

          46

          @VIN=3.3V,

          IOUT=-0.5A

          58

          @VIN=1.8V,

          IOUT=-0.5A

          106

          @VIN=1.2V,

          IOUT=-0.2A

          210

          @VIN=1.0V,

          IOUT=-0.05A

          343

          交流特性

          VOUT上升時間tr

          典型值(μs)

          @VIN=3.3V

          363

          363

          363

          VOUT下降時間tf

          典型值(μs)

          125

          32

          32

          導(dǎo)通時延tON

          典型值(μs)

          324

          324

          324

          關(guān)斷時延tOFF

          典型值(μs)

          10

          10

          10

          自動放電功能

          -

          內(nèi)置

          內(nèi)置

          開關(guān)控制邏輯

          高電平有效

          高電平有效

          低電平有效

          庫存查詢與購買

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          注:

          [1] 1mm2或更緊湊的封裝,額定輸出電流為1A的負(fù)載開關(guān)IC。截至2022年1月的東芝調(diào)查。



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